型号：2NM65-Q
　　制造商：STMicroelectronics
　　晶体管类型：N沟道MOSFET
　　最大漏源电压（Vds）：650 V
　　最大漏极电流（Id）：2 A（@TC=100°C）
　　最大脉冲漏极电流（Idm）：6 A
　　最大耗散功率（Ptot）：50 W
　　导通电阻Rds(on)：典型值3.0 Ω（@Vgs=10V, Id=1A）
　　阈值电压（Vgs(th)）：2.0 ~ 4.0 V（@Id=250μA）
　　栅极电荷（Qg）：典型值38 nC（@Vds=500V, Id=2A, Vgs=10V）
　　输入电容（Ciss）：典型值900 pF（@Vds=25V, f=1MHz）
　　输出电容（Coss）：典型值180 pF
　　反向恢复时间（trr）：典型值175 ns
　　工作结温范围（Tj）：-55 °C 至 +150 °C
　　存储温度范围：-55 °C 至 +150 °C
　　封装类型：TO-220

2NM65-Q具备多项关键电气与物理特性，使其成为高压开关应用中的理想选择。首先，其650V的高漏源击穿电压确保了在离线式开关电源等高压环境中具备足够的电压裕量，能够有效应对电网波动及感应电压尖峰，从而提升系统可靠性。其次，该器件的导通电阻Rds(on)在标准测试条件下仅为3.0Ω左右，虽然相较于现代超结MOSFET略高，但在同类平面工艺产品中仍属优良水平，能够在额定负载下保持较低的导通损耗，减少发热并提高电源效率。此外，其栅极电荷Qg为38nC，属于中等水平，意味着在开关过程中所需的驱动能量适中，既不会对驱动电路造成过大负担，也能实现较快的开关速度，有助于降低开关损耗，特别是在高频工作模式下表现更佳。
　　该MOSFET采用TO-220封装，具有良好的散热性能，可通过加装散热片进一步提升功率处理能力，适用于连续高功率运行场景。其热阻Rth(j-c)约为2.5°C/W，表明从结到外壳的热量传导效率较高，有利于维持长时间工作的热稳定性。在安全保护方面，2NM65-Q具备一定的雪崩耐量能力，能够在过压或感性负载突变时吸收一定的能量而不损坏，增强了系统的故障容忍度。其体二极管的反向恢复时间trr为175ns，虽不适用于零电压切换（ZVS）要求极高的软开关拓扑，但在硬开关反激或正激电源中仍可接受。
　　该器件的工作结温范围宽达-55°C至+150°C，表明其可在极端高低温环境下稳定运行，适用于工业、户外及车载等复杂应用场合。同时，其阈值电压范围为2.0V~4.0V，确保在标准逻辑电平驱动下可靠开启，兼容多数PWM控制器的输出信号。综合来看，2NM65-Q凭借其稳健的设计、可靠的性能和成熟的制造工艺，成为许多中低功率高压电源设计中的主流选择。

2NM65-Q广泛应用于各类需要高压开关功能的电力电子系统中。最常见的用途是作为主开关管用于反激式（Flyback）、正激式（Forward）等隔离型DC-DC变换器中，尤其是在20W至100W范围内的开关电源（SMPS）中表现优异，如手机充电器、LED驱动电源、家电适配器等。在这些应用中，它负责将整流后的高压直流电通过高频斩波传递到变压器初级侧，实现能量传输与电压变换。此外，该器件也常用于AC-DC转换器中，作为功率因数校正（PFC）电路中的开关元件，尽管在高效PFC设计中逐渐被超结MOSFET取代，但在成本敏感型设计中仍具竞争力。
　　在照明领域，2NM65-Q可用于LED恒流驱动电源，特别是在非隔离升降压或反激拓扑中，提供稳定的电流输出。其高耐压特性使其可以直接连接到高压母线，简化电路结构。在工业控制方面，该器件可用于电机驱动中的低端开关、继电器驱动电路或小型逆变器中，承担功率切换任务。此外，由于其具备一定的抗浪涌能力，也可用于电源输入端的浪涌抑制或瞬态保护电路中。
　　在消费电子产品中，如电视、音响、路由器等内置电源模块中，2NM65-Q因其成熟可靠、供货稳定而被广泛采用。同时，在维修替换市场中，该型号也常作为老旧设备中损坏MOSFET的替代品使用。总体而言，其应用场景集中在中等功率、高电压、对成本和可靠性有平衡要求的电力转换系统中。

STP2NK60ZFP
　　2SK2645
　　FQA2N65
　　KSE2NM65