型号：2NM60-Q
　　类型：N沟道增强型MOSFET
　　漏源电压（Vds）：600V
　　栅源电压（Vgs）：±30V
　　连续漏极电流（Id）：2A（Tc=25°C）
　　脉冲漏极电流（Idm）：8A
　　功耗（Ptot）：50W
　　导通电阻（Rds(on)）：典型值1.8Ω（Max 2.2Ω @ Vgs=10V, Id=1A）
　　阈值电压（Vgs(th)）：3~5V
　　输入电容（Ciss）：约500pF @ Vds=25V
　　输出电容（Coss）：约100pF
　　反向恢复时间（trr）：约35ns
　　工作温度范围（Tj）：-55°C ~ +150°C
　　封装形式：TO-220FP

2NM60-Q采用了英飞凌成熟的高压MOSFET制造工艺，结合了超结（Superjunction）结构的优势，显著降低了导通电阻与开关损耗之间的权衡关系。这种结构通过在漂移区交替排列P型和N型柱状区域，有效提高了单位面积下的击穿电压能力，同时大幅减小了Rds(on)，从而提升了器件的整体效率。该MOSFET具备出色的动态性能，其输入电容和反馈电容较小，使得在高频开关应用中能够降低驱动损耗并提高响应速度。特别地，其较低的栅极电荷（Qg）特性减少了控制电路所需的驱动功率，有利于简化驱动设计并提升系统能效。
　　在可靠性方面，2NM60-Q具备较强的雪崩能量承受能力，能够在瞬态过压或负载突变情况下维持稳定运行，避免因电压尖峰导致的器件损坏。其体二极管经过优化设计，具有较短的反向恢复时间和较低的反向恢复电荷，这在硬开关拓扑如反激式（Flyback）或正激式（Forward）变换器中尤为重要，可有效抑制电压振荡和电磁干扰（EMI）。此外，该器件支持高速开关操作，适用于高达数百kHz的开关频率，满足现代高效电源对小型化和高功率密度的需求。
　　热性能方面，TO-220FP封装提供了良好的热传导路径，配合适当的散热片使用，可确保长时间高负载运行下的结温控制在安全范围内。器件还具备良好的抗闩锁能力和ESD防护性能，增强了在复杂电磁环境中的鲁棒性。综合来看，2NM60-Q是一款兼顾高性能、高可靠性和易用性的高压MOSFET，适用于多种工业级和消费级电源产品。

2NM60-Q主要应用于各类中低功率的开关电源系统中，尤其是在需要600V耐压等级的场合表现优异。它常被用于反激式（Flyback）和双开关正激式（Dual-Switch Forward）拓扑结构的AC-DC适配器、充电器和待机电源模块中，作为主开关器件实现高效的能量转换。在LED照明驱动电源领域，该MOSFET可用于隔离式恒流驱动方案，提供稳定可靠的输出控制，同时满足高效率和低待机功耗的设计要求。此外，在工业控制电源、智能电表、网络通信设备电源单元中，2NM60-Q也因其高可靠性和长寿命而受到青睐。
　　由于其具备良好的高温工作性能和抗干扰能力，该器件也可用于环境条件较为严苛的工业应用场景，例如PLC电源模块、传感器供电单元等。在光伏逆变器或UPS系统的辅助电源部分，2NM60-Q同样可以胜任偏置电源或控制电路供电的任务。另外，在一些家用电器如空调、洗衣机的内部控制电源中，该MOSFET也被广泛采用，以实现节能和小型化目标。总之，凡是需要600V耐压、2A左右电流能力且追求高效率和高可靠性的低压侧开关应用，2NM60-Q都是一个理想的选择。

IPP60R099E6
　　STL6N60M5
　　FQA12N60