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2N980A 发布时间 时间:2025/9/2 13:07:01 查看 阅读:6

2N980A 是一款常见的N沟道功率MOSFET晶体管,广泛应用于功率放大器、开关电源、电机控制、逆变器和各种高功率电子设备中。该器件采用TO-220封装,具备良好的导热性和较高的功率处理能力,适用于需要高效率和高可靠性的应用场景。2N980A 的设计使其能够在较高的频率下工作,适用于开关电路和脉宽调制(PWM)控制。

参数

类型:N沟道MOSFET
  漏极电流(ID):最大9A
  漏源电压(VDS):最大60V
  栅源电压(VGS):±20V
  导通电阻(RDS(on)):约0.4Ω
  功耗(PD):75W
  工作温度范围:-55°C 至 +150°C
  封装形式:TO-220

特性

2N980A 具备多项优良的电气特性,适合高功率和高频应用。其N沟道结构使其在导通状态下具有较低的电阻,从而减少功率损耗并提高能效。该MOSFET的最大漏极电流为9A,能够在60V的漏源电压下稳定工作,适用于多种中高功率电路。栅极驱动电压范围宽达±20V,使得其在不同的控制电路中都能可靠运行。
  该器件的导通电阻约为0.4Ω,虽然略高于一些现代低RDS(on)器件,但仍在多数功率应用中表现良好。其TO-220封装形式具备良好的散热性能,可有效降低结温,提高长期运行的稳定性。此外,2N980A 的功耗可达75W,使其适用于需要高功率处理能力的电路设计。
  由于其良好的频率响应和快速开关特性,2N980A 常用于DC-DC转换器、H桥驱动电路、马达控制和电子负载等应用。其工作温度范围从-55°C到+150°C,适应工业级和汽车电子系统的需求。

应用

2N980A 主要用于功率MOSFET常见的应用场景,包括开关电源(SMPS)、直流电机控制、逆变器、电子开关、功率放大器以及各种需要高电流开关能力的电子设备。此外,它也常用于电池管理系统、LED驱动电路、电源管理模块以及自动化控制系统中的功率控制部分。

替代型号

IRFZ44N, 2N980, 2N981, FQP9N60C

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