时间：2025/9/2 13:07:01
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2N980A 是一款常见的N沟道功率MOSFET晶体管，广泛应用于功率放大器、开关电源、电机控制、逆变器和各种高功率电子设备中。该器件采用TO-220封装，具备良好的导热性和较高的功率处理能力，适用于需要高效率和高可靠性的应用场景。2N980A 的设计使其能够在较高的频率下工作，适用于开关电路和脉宽调制（PWM）控制。
类型：N沟道MOSFET
漏极电流（ID）：最大9A
漏源电压（VDS）：最大60V
栅源电压（VGS）：±20V
导通电阻（RDS(on)）：约0.4Ω
功耗（PD）：75W
工作温度范围：-55°C 至 +150°C
封装形式：TO-220
2N980A 具备多项优良的电气特性，适合高功率和高频应用。其N沟道结构使其在导通状态下具有较低的电阻，从而减少功率损耗并提高能效。该MOSFET的最大漏极电流为9A，能够在60V的漏源电压下稳定工作，适用于多种中高功率电路。栅极驱动电压范围宽达±20V，使得其在不同的控制电路中都能可靠运行。
该器件的导通电阻约为0.4Ω，虽然略高于一些现代低RDS(on)器件，但仍在多数功率应用中表现良好。其TO-220封装形式具备良好的散热性能，可有效降低结温，提高长期运行的稳定性。此外，2N980A 的功耗可达75W，使其适用于需要高功率处理能力的电路设计。
由于其良好的频率响应和快速开关特性，2N980A 常用于DC-DC转换器、H桥驱动电路、马达控制和电子负载等应用。其工作温度范围从-55°C到+150°C，适应工业级和汽车电子系统的需求。
2N980A 主要用于功率MOSFET常见的应用场景，包括开关电源（SMPS）、直流电机控制、逆变器、电子开关、功率放大器以及各种需要高电流开关能力的电子设备。此外，它也常用于电池管理系统、LED驱动电路、电源管理模块以及自动化控制系统中的功率控制部分。
IRFZ44N, 2N980, 2N981, FQP9N60C
