类型：NPN型晶体管
　　集电极-发射极电压（VCEO）：30V
　　集电极-基极电压（VCBO）：50V
　　发射极-基极电压（VEBO）：5V
　　最大集电极电流（IC）：100mA
　　最大功耗（PD）：300mW
　　频率响应（fT）：100MHz
　　增益带宽积（fT）：100MHz
　　封装形式：TO-92

2N863A 的设计使其在高频环境下表现出色，特别适用于射频和中频放大器。其主要特性包括：
　　1. 高频性能：该晶体管的增益带宽积为100MHz，使其能够胜任高频放大任务，尤其在10MHz以上的频率范围内表现良好。
　　2. 低噪声特性：由于其结构设计和制造工艺，2N863A 具有较低的噪声系数，适合用于信号接收端的前置放大器。
　　3. 高增益：晶体管的电流增益（β值）通常在50至150之间，具体取决于工作条件，这使其能够在低输入信号条件下提供有效的放大作用。
　　4. 稳定性和可靠性：作为一款历史悠久的晶体管型号，2N863A 在各种环境条件下表现出色，具有较长的使用寿命和稳定的性能。
　　5. 热稳定性：该晶体管在工作过程中具有良好的热稳定性，能够在一定的温度变化范围内保持性能一致性。
　　6. 封装形式：采用常见的TO-92封装，便于安装和替换，适合广泛应用中的使用需求。

2N863A 被广泛应用于多种电子电路中，主要包括：
　　1. 高频放大器：由于其优异的高频特性，2N863A 常用于射频（RF）和中频（IF）放大器的设计中，例如在无线通信设备和广播接收设备中。
　　2. 前置放大器：该晶体管的低噪声特性使其适合用于音频和信号接收系统的前置放大器，以提高信号的质量和清晰度。
　　3. 开关电路：2N863A 可以用作高速开关元件，适用于需要快速切换的数字电路和脉冲电路。
　　4. 振荡器：该晶体管的高频率响应特性使其适合用于振荡器电路中，用于生成高频信号。
　　5. 教学和实验：由于其经典地位和广泛应用，2N863A 常被用于电子工程教育和实验项目中，帮助学生理解晶体管的工作原理和应用方法。

2N2222, BC547, BF199