类型：NPN型双极晶体管
　　最大集电极电流（IC）：100mA
　　最大集电极-发射极电压（VCE）：30V
　　最大集电极-基极电压（VCB）：30V
　　最大功耗（PD）：100mW
　　工作温度范围：-55°C 至 +150°C
　　封装形式：TO-18金属封装
　　过渡频率（fT）：约100MHz
　　电流放大系数（hFE）：40-150（随工作电流不同而变化）

2N801晶体管具有良好的高频响应性能，适合用于射频（RF）和中频（IF）放大器电路。
　　其金属封装设计有助于提高稳定性和抗干扰能力，适用于较为恶劣的工业环境。
　　该晶体管具有较高的电流增益（hFE），在40至150之间变化，具体数值取决于工作电流条件。
　　它具备中等功率处理能力，最大功耗为100mW，适用于低功耗电路设计。
　　由于其较高的过渡频率（fT）达100MHz，2N801也适用于高速开关电路和振荡器设计。
　　晶体管的VCE和VCB最大额定值均为30V，使其在一般放大和开关应用中具有良好的可靠性。
　　此外，该器件具有良好的热稳定性，可在-55°C至+150°C的温度范围内正常工作，适用于宽温度环境下的电子设备。

2N801 主要应用于高频放大器电路，如射频放大器和中频放大器。
　　它常用于早期的通信设备、无线电接收器和发射器中的信号放大与调制。
　　该晶体管也可用于低功率开关电路，如数字逻辑电路中的晶体管开关。
　　在音频放大电路中，2N801可用于前置放大级，提供较高的增益。
　　此外，它还被用于振荡器、混频器和调制解调器等电路中。
　　在工业控制系统中，2N801可用于传感器信号放大和处理电路。
　　由于其高频特性，该晶体管在测试仪器和测量设备中也有一定的应用。

2N2222, 2N3904, BC107, BF199