类型：N沟道增强型MOSFET
　　最大漏极电流（ID）：10A
　　最大漏-源电压（VDS）：250V
　　最大栅-源电压（VGS）：30V
　　最大功耗（PD）：75W
　　导通电阻（RDS(on)）：约0.4Ω
　　工作温度范围：-55°C 至 +150°C
　　封装形式：TO-3

2N786A 具有多个显著的电气和物理特性，使其在中功率MOSFET应用中表现出色。首先，它的漏极电流最大可达10A，适用于中等功率开关和放大电路。漏-源电压额定值为250V，使得该器件在高压应用中具有较高的安全性和可靠性。栅-源电压最大为30V，提供了较宽的驱动电压范围，便于与各种控制电路兼容。
　　导通电阻约为0.4Ω，这在当时的技术条件下属于较低水平，有助于降低导通损耗并提高效率。最大功耗为75W，结合TO-3金属封装的优良散热性能，使其能够在较高的环境温度下稳定工作。此外，2N786A具有良好的热稳定性和抗过载能力，适合用于电源管理、电机控制和音频放大器等应用场景。
　　该器件的工作温度范围为-55°C至+150°C，表明其具有良好的环境适应性，适用于工业和军事等苛刻环境。由于其TO-3封装形式，2N786A易于安装在散热片上，进一步提升其热管理能力。

2N786A 常用于多种电子设备和系统中，尤其是在需要中等功率处理能力的场合。典型应用包括开关电源（SMPS）、DC-DC转换器、电机驱动电路、音频功率放大器、工业控制设备以及消费类电子产品中的功率开关。其高电压和电流处理能力使其成为许多老式电源和功率控制电路中的关键组件。此外，由于其良好的热稳定性和可靠性，2N786A也常用于需要长时间连续运行的工业设备中。

IRF540N, 2N6756, BUZ41A, MJ10020