类型：NPN晶体管
　　封装类型：TO-18
　　最大集电极电流（IC）：10mA
　　最大集电极-发射极电压（VCE）：25V
　　最大集电极-基极电压（VCB）：30V
　　最大功耗（PD）：125mW
　　过渡频率（fT）：100MHz
　　电流增益（hFE）：在1kHz下为110至800（根据等级不同）
　　工作温度范围：-55°C至+150°C

2N761A晶体管具有多个显著的电气和物理特性，使其在高频应用中表现出色。首先，该晶体管的过渡频率（fT）达到100MHz，使其能够在较高的频率下保持良好的增益表现，适用于射频和中频放大电路。其次，其电流增益（hFE）范围广泛，根据不同的等级划分，可以在110到800之间变化，适应不同的放大需求。此外，2N761A采用TO-18金属封装，不仅提供了良好的热稳定性和机械强度，还能有效屏蔽高频干扰，提高电路的稳定性。
　　该晶体管的最大集电极电流为10mA，最大集电极-发射极电压为25V，最大集电极-基极电压为30V，确保在中等电压条件下稳定工作。其最大功耗为125mW，适用于低功耗设计。2N761A的工作温度范围从-55°C到+150°C，表明其适用于广泛的环境条件，包括工业级和军用级应用。
　　由于其良好的高频响应和稳定性，2N761A常用于无线通信设备、FM接收器、电视机调谐电路、信号发生器以及各种高频放大电路中。在这些应用中，它能够提供高线性度和低失真，满足高性能电路设计的要求。

2N761A晶体管广泛应用于高频电子电路中，包括射频（RF）和中频（IF）放大器、混频器、振荡器以及调制解调电路。在通信设备中，它可用于前置放大器、频率转换电路和信号增强模块。此外，该晶体管也常用于广播接收设备、无线遥控装置、测试仪器和音频放大器中的高频信号处理部分。其金属封装和良好的温度适应性使其适用于工业控制、航空航天电子系统和汽车电子等高可靠性领域。

2N3904, 2N2222, BF199, BF200