类型：N沟道增强型MOSFET
　　最大漏源电压（VDS）：100V
　　最大栅源电压（VGS）：±20V
　　最大连续漏极电流（ID）：8A
　　最大脉冲漏极电流（IDM）：32A
　　导通电阻（RDS(on)）：0.35Ω（典型值）
　　工作温度范围：-55°C 至 +150°C
　　封装类型：TO-220AB

2N7617UC 的设计使其在高功率应用中表现出色，具有以下几个关键特性：
　　首先，其最大漏源电压为100V，允许其在中高电压环境下稳定运行，适用于多种电源管理场合。
　　其次，最大连续漏极电流为8A，能够支持较高功率负载的控制和切换，同时具备32A的脉冲漏极电流能力，可应对瞬时高电流需求。
　　该器件的导通电阻典型值为0.35Ω，有助于降低导通损耗，提高系统效率，并减少发热。
　　此外，2N7617UC 具有良好的热稳定性，可在-55°C至+150°C的温度范围内工作，适应恶劣的工业环境。
　　其TO-220AB封装结构便于安装在散热片上，提高散热效率，确保长期稳定运行。
　　栅极驱动电压范围为±20V，兼容常见的驱动电路设计，提高了设计灵活性。
　　综上所述，2N7617UC 在性能、可靠性和易用性方面表现出色，是一款适用于多种功率控制应用的MOSFET器件。

2N7617UC MOSFET因其高电流容量和良好的导通性能，广泛应用于多个电子系统中。在电源管理领域，常用于DC-DC转换器、开关电源（SMPS）和电池充电器等电路中，作为高效开关元件使用。
　　在电机控制方面，该器件可作为H桥驱动电路中的核心开关，用于控制直流电机或步进电机的转向和速度。
　　音频功率放大器也是其典型应用之一，在功率放大电路中，2N7617UC 可提供足够的电流驱动能力，以推动扬声器负载。
　　此外，它还适用于LED驱动电路、电子负载、逆变器以及工业自动化控制系统中的高功率开关应用。
　　由于其具备良好的热稳定性和高可靠性，因此在工业设备、汽车电子和消费类电子产品中均有广泛应用。

IRF540N, FDPF5N60, 2SK2647