类型：N 沟道 JFET
　　漏极电流（IDSS）：10mA（典型值）
　　栅极截止电压（VGS(off)）：-1.5V 至 -6V（范围）
　　跨导（Gm）：2000 μS 至 5000 μS
　　最大漏极电压（VDS）：25V
　　最大功耗（PD）：300 mW
　　工作温度范围：-55°C 至 +150°C
　　封装形式：TO-72、TO-92、SMD 等

2N756A 的核心优势在于其低噪声特性，这使其非常适合用于前置放大器等对噪声敏感的电路中。
　　该器件具有较高的输入阻抗，能够有效减少对前级电路的负载影响，提高电路的整体稳定性。
　　其 N 沟道 JFET 结构提供了良好的线性度，适用于模拟信号处理和放大应用。
　　2N756A 的栅极截止电压范围较宽，为设计者提供了灵活的偏置调节空间。
　　此外，该器件具有较高的跨导（Gm），能够提供较高的电压增益，适合用于高增益放大电路。
　　由于其良好的高频响应，2N756A 也常被用于射频（RF）前端放大器、音频放大器、电压控制电阻等电路中。
　　其封装形式多样，包括 TO-72、TO-92 和 SMD 等，适用于不同的 PCB 设计需求。

2N756A 主要用于低噪声前置放大器、音频放大器、射频放大器、模拟开关电路、电压控制电路、混频器、振荡器以及各种需要高输入阻抗和低噪声的模拟电路中。
　　在音频设备中，2N756A 常用于前级放大以提高信号的清晰度和保真度。
　　在射频系统中，该器件被用于前端信号放大，以减少噪声并提高接收灵敏度。
　　此外，它也广泛应用于教学实验、电子测试设备和模拟电路设计原型中。

J201, 2N5457, BF245C, MPF102