型号：2N7335
　　类型：P沟道增强型MOSFET
　　最大漏源电压（Vds）：-100 V
　　最大栅源电压（Vgs）：±20 V
　　连续漏极电流（Id）：-4.0 A（Tc=25°C）
　　脉冲漏极电流（Idm）：-16 A
　　导通电阻（Rds(on)）：0.28 Ω（典型值，Vgs=-10V）
　　阈值电压（Vgs(th)）：-2.0 V 至 -4.0 V
　　输入电容（Ciss）：330 pF（典型值，Vds=25V）
　　输出电容（Coss）：90 pF（典型值）
　　反向恢复时间（trr）：不适用（体二极管存在）
　　工作结温范围：-55°C 至 +150°C
　　封装形式：TO-220、TO-220AB 等

2N7335作为一款P沟道MOSFET，其核心特性在于其电压控制能力和高效的开关性能。该器件的阈值电压范围为-2.0V至-4.0V，意味着在栅极施加足够负的电压时即可实现导通，适用于多种电源电压下的控制场景。其导通电阻在Vgs=-10V时典型值为0.28Ω，这一数值在同类P沟道器件中处于较为理想的水平，有助于降低导通损耗，提高整体系统效率。在高频开关应用中，较低的输入和输出电容（分别为330pF和90pF）减少了开关过程中的充放电时间，从而提升了开关速度并降低了动态损耗。
　　2N7335具备良好的热稳定性，其最大工作结温可达+150°C，并且在高温环境下仍能保持稳定的电气特性。器件内部集成的体二极管允许其在感性负载切换时提供续流路径，防止电压尖峰损坏电路。虽然该二极管不具备快速恢复特性，但在大多数非高频整流应用中足以满足需求。此外，2N7335的栅极氧化层设计可承受高达±20V的栅源电压，增强了其在电压波动环境下的可靠性。
　　从可靠性角度看，2N7335经过严格的生产测试，符合工业级标准，能够在-55°C至+150°C的宽温度范围内稳定工作，适用于恶劣环境下的长期运行。其TO-220封装提供了良好的散热性能，便于通过散热片进一步提升功率处理能力。值得注意的是，P沟道MOSFET在高边开关配置中特别有用，因为它们可以通过简单的逻辑电平信号进行控制，而无需额外的驱动电路来生成高于电源电压的栅极驱动信号。这使得2N7335在电池管理系统、电源多路复用和电机控制等应用中表现出色。

2N7335广泛应用于各类需要高效开关控制的电子系统中。一个典型的应用是作为高边开关，在电源管理电路中控制负载的供电状态。例如，在便携式设备中，该器件可用于电池与主电路之间的连接控制，实现低功耗待机模式或过流保护功能。由于其P沟道特性，只需将栅极拉低即可导通，简化了控制逻辑设计。
　　在DC-DC转换器中，2N7335常被用作同步整流器或主开关元件，尤其是在降压（Buck）拓扑中作为上桥臂开关。其较低的导通电阻有助于减少能量损耗，提高转换效率。此外，在逆变器和UPS系统中，该器件可用于构建H桥电路的一部分，控制电流方向和电压输出。
　　工业控制系统中，2N7335可用于继电器驱动、电磁阀控制或电机启停控制，利用其快速响应能力和高耐压特性实现精确控制。在汽车电子领域，尽管其并非专为汽车级认证设计，但仍可用于辅助电源模块或车载照明控制等对可靠性要求适中的场合。
　　此外，2N7335也适用于过压或欠压保护电路，配合比较器或监控IC实现自动断电功能。其宽泛的工作温度范围和较强的抗干扰能力使其在户外设备、安防系统和通信基站电源模块中也有应用潜力。

IRF9540
　　BUZ73
　　FQP27P06
　　MTP3055