时间：2025/9/2 20:35:37
阅读：8
2N727 是一款经典的N沟道增强型功率场效应晶体管（MOSFET），广泛应用于中等功率开关和放大电路中。该器件采用TO-3金属封装，具备良好的散热性能和较高的可靠性。该晶体管设计用于高速开关应用，适用于电源转换、电机控制和音频放大等多种场景。
类型：N沟道MOSFET
最大漏极电流（ID）：5A
漏源击穿电压（VDS）：60V
栅源击穿电压（VGS）：±20V
导通电阻（RDS(on)）：约0.4Ω（典型值）
工作温度范围：-55°C 至 +150°C
封装形式：TO-3
2N727 MOSFET 具备多项优异的电气性能，适合多种中等功率应用场景。其主要特性包括良好的导通性能和较低的导通电阻（RDS(on)），这使得器件在导通状态下功耗较低，提高了整体电路效率。同时，该晶体管具备快速开关能力，适用于高频开关电路，如DC-DC转换器和PWM控制电路。
由于其TO-3封装设计，2N727具备良好的热管理能力，能够有效散发工作过程中产生的热量，从而提高器件的稳定性和使用寿命。此外，该器件具有较高的漏源击穿电压（60V），适用于中等电压应用场合，例如电池供电系统、电机驱动和功率放大器。
2N727 还具备较高的栅极阈值电压稳定性，确保在不同工作条件下均能可靠导通和关断。该晶体管适用于多种电路拓扑结构，包括共源放大器、开关电源和负载开关等。其坚固的结构设计和宽工作温度范围使其能够在恶劣环境下稳定运行。
2N727 MOSFET 常用于以下应用领域：电源管理系统中的开关元件、DC-DC升压/降压转换器、PWM电机控制器、音频功率放大器、电池充电电路、工业控制电路以及各类中等功率电子设备中的开关或放大元件。由于其优良的开关特性和热管理能力，该器件在电子工程中被广泛使用。
IRFZ44N, 2N6756, BUZ11, 2N6660
