2N7227是一种常用的N沟道功率MOSFET晶体管,广泛应用于各种电子设备中,用于高功率开关和功率放大器的设计。该器件采用TO-220封装,具有良好的散热性能和较高的电流承载能力。
类型:N沟道MOSFET
漏源电压(Vds):60V
栅源电压(Vgs):±20V
连续漏极电流(Id):12A
功耗(Pd):62W
工作温度范围:-55°C至150°C
封装形式:TO-220
2N7227具有低导通电阻,这有助于减少功率损耗和提高效率。其高电流承载能力和良好的热稳定性使其适用于高功率应用。此外,该器件的开关速度快,适用于高频开关电路。其TO-220封装提供了良好的散热性能,确保器件在高负载条件下稳定运行。
该MOSFET的栅极驱动要求较低,适合与标准逻辑电路配合使用。其耐用的设计和高可靠性使其在工业控制、电源管理和电机驱动等应用中表现出色。
2N7227常用于开关电源(SMPS)、DC-DC转换器、电机控制电路、电池充电器以及各种功率放大器设计中。此外,它也适用于需要高电流开关能力的自动化控制系统和电子负载设备。
IRFZ44N, FQP12N60C, 2N7228, STP12NM60ND, FDPF12N60