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2N7227 发布时间 时间:2025/7/31 19:32:56 查看 阅读:7

2N7227是一种常用的N沟道功率MOSFET晶体管,广泛应用于各种电子设备中,用于高功率开关和功率放大器的设计。该器件采用TO-220封装,具有良好的散热性能和较高的电流承载能力。

参数

类型:N沟道MOSFET
  漏源电压(Vds):60V
  栅源电压(Vgs):±20V
  连续漏极电流(Id):12A
  功耗(Pd):62W
  工作温度范围:-55°C至150°C
  封装形式:TO-220

特性

2N7227具有低导通电阻,这有助于减少功率损耗和提高效率。其高电流承载能力和良好的热稳定性使其适用于高功率应用。此外,该器件的开关速度快,适用于高频开关电路。其TO-220封装提供了良好的散热性能,确保器件在高负载条件下稳定运行。
  该MOSFET的栅极驱动要求较低,适合与标准逻辑电路配合使用。其耐用的设计和高可靠性使其在工业控制、电源管理和电机驱动等应用中表现出色。

应用

2N7227常用于开关电源(SMPS)、DC-DC转换器、电机控制电路、电池充电器以及各种功率放大器设计中。此外,它也适用于需要高电流开关能力的自动化控制系统和电子负载设备。

替代型号

IRFZ44N, FQP12N60C, 2N7228, STP12NM60ND, FDPF12N60

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2N7227参数

  • 现有数量0现货
  • 价格停产
  • 系列-
  • 包装散装
  • 产品状态停产
  • FET 类型N 通道
  • 技术MOSFET(金属氧化物)
  • 漏源电压(Vdss)400 V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)14A(Tc)
  • 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)10V
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)315 毫欧 @ 9A,10V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)4V @ 250μA
  • 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)(最大值)110 nC @ 10 V
  • Vgs(最大值)±20V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)-
  • FET 功能-
  • 功率耗散(最大值)4W(Ta),150W(Tc)
  • 工作温度-55°C ~ 150°C(TJ)
  • 安装类型通孔
  • 供应商器件封装TO-254AA
  • 封装/外壳TO-254-3,TO-254AA(直引线)