2N7225U 时间：2025/9/4 11:22:27 阅读：4

2N7225U是一款常用的N沟道功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），广泛用于电源管理和功率放大电路中。该器件采用TO-220封装，具备良好的导热性和可靠性，适用于高电流和高电压的应用场景。2N7225U的主要特点包括低导通电阻（Rds(on)）、高耐压和高电流承载能力，使其成为许多开关电源、电机驱动和DC-DC转换器中的理想选择。

参数

类型：N沟道MOSFET
　　封装：TO-220
　　漏源电压（Vds）：100V
　　栅源电压（Vgs）：±20V
　　连续漏极电流（Id）：12A
　　导通电阻（Rds(on)）：0.35Ω（典型值）
　　工作温度范围：-55°C至+175°C
　　功耗（Pd）：60W
　　栅极电荷（Qg）：25nC
　　输入电容（Ciss）：900pF
　　漏源击穿电压（BVDSS）：100V

特性

2N7225U具有多项优异的电气性能和物理特性。首先，其低导通电阻（Rds(on)）确保在高电流下仍能保持较低的功率损耗，从而提高系统效率。其次，该MOSFET的漏源电压为100V，能够承受较高的电压应力，适用于多种高电压应用场景。此外，其连续漏极电流为12A，满足中高功率应用的需求。2N7225U采用TO-220封装，具备良好的散热性能，有助于延长器件的使用寿命并提高系统稳定性。
　　该器件还具有较高的开关速度，适用于高频开关应用，例如DC-DC转换器和电源管理电路。栅极电荷（Qg）较低，有助于减少开关损耗并提高系统效率。此外，2N7225U的输入电容较小，能够快速响应控制信号，提高电路的响应速度。
　　从可靠性角度来看，2N7225U的工作温度范围较宽，可在-55°C至+175°C之间稳定工作，适用于工业级和汽车电子应用。其高耐压特性和过热保护能力也增强了器件在恶劣环境下的稳定性。

应用

2N7225U适用于多种功率电子应用，包括开关电源（SMPS）、DC-DC转换器、电池管理系统、电机驱动电路、负载开关、电源管理模块以及功率放大器等。在开关电源中，该MOSFET可用于高侧或低侧开关，实现高效的能量转换。在电机控制应用中，它可用于H桥驱动，控制直流电机的正反转。此外，2N7225U还可用于电源管理系统中的负载切换，例如电源管理IC（PMIC）的外围开关元件。在汽车电子领域，该器件可用于车载电源系统、LED照明驱动以及电池充电管理电路。