时间：2025/9/2 18:39:39
阅读：6
2N715A 是一款常用的N沟道增强型场效应晶体管（MOSFET），广泛用于中功率开关应用和放大器电路中。该器件采用TO-72金属封装，具有良好的热稳定性和可靠性。该MOSFET适用于多种电源管理和信号处理应用。
类型：N沟道增强型MOSFET
封装：TO-72
最大漏源电压(Vds)：60V
最大栅源电压(Vgs)：±25V
最大漏极电流(Id)：500mA
最大功耗(Pd)：1.8W
工作温度范围：-55°C至+150°C
导通电阻(Rds(on))：约10Ω（典型值）
增益带宽：10MHz（典型值）
输入电容(Ciss)：约7pF
2N715A 具有低导通电阻和良好的热稳定性，使其在开关应用中表现优异。其TO-72封装设计有助于有效散热，确保在中等功率条件下的可靠性。
该MOSFET具有较高的输入阻抗，使得其非常适合用于电压控制的放大电路。同时，其快速开关特性也适用于数字逻辑电路和脉冲宽度调制（PWM）系统。
器件的工作温度范围较宽（-55°C至+150°C），适应各种环境条件下的使用。此外，其栅极结构设计优化了栅极驱动要求，降低了开关损耗。
在制造工艺上，2N715A采用了硅基MOSFET技术，提供了良好的电气性能和长期稳定性。其低漏电流特性也使其在低功耗应用中表现出色。
2N715A 常用于以下应用场合：中功率开关电路、音频放大器、DC-DC转换器、电压调节器、信号处理电路以及数字逻辑电路中的开关元件。由于其良好的热稳定性和紧凑的封装形式，也常被用于便携式电子设备中的电源管理模块。
2N716A, 2N3819, BF245C, J309
