类型：N沟道增强型MOSFET
　　最大漏源电压(Vds)：60V
　　最大栅源电压(Vgs)：±20V
　　最大连续漏极电流(Id)：2.8A
　　最大功耗(Pd)：40W
　　导通电阻(Rds(on))：典型值为1.7Ω
　　工作温度范围：-55°C至+150°C
　　封装形式：TO-220

2N702A是一款性能稳定、应用广泛的功率MOSFET。其主要特点包括较高的漏源击穿电压（60V），适用于中等电压的电源转换和控制电路。该器件的栅极驱动电压范围宽，最大可达±20V，使得它在不同的驱动电路中具有良好的兼容性。此外，2N702A的导通电阻相对较低，有助于降低导通损耗，提高系统的整体效率。
　　该MOSFET的封装形式为TO-220，具有良好的散热性能，能够在较高功率条件下稳定工作。由于其良好的热稳定性和较高的可靠性，2N702A常用于工业控制、电机驱动、DC-DC转换器、逆变器以及各种开关电源设备中。它的开启阈值电压在2V至4V之间，确保了在标准的逻辑电平下可以有效驱动，同时具有较低的跨导（约0.3S），适合用于低频开关应用。
　　此外，2N702A具有较低的输入电容（Ciss）和输出电容（Coss），有助于提高开关速度，减少开关过程中的能量损耗。这使得它在开关频率相对较低的应用中表现良好。同时，该器件的反向恢复时间较短，有助于减少在桥式电路中的交叉导通损耗。总体而言，2N702A是一款性价比高、适用范围广的功率MOSFET，适合用于多种电子系统的功率控制部分。

2N702A主要用于各种功率电子设备中，如开关电源（SMPS）、直流电机控制、逆变器、DC-DC转换器、电池管理系统以及各种低频功率开关应用。它也常用于音频放大器和电源管理电路中作为功率开关元件。

IRFZ44N, 2N701A, FDPF6N40, BUZ11