时间：2025/8/17 3:23:56
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2N702是一款N沟道增强型功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），广泛用于电源管理、功率放大和开关电路中。该器件采用TO-92封装，具有低导通电阻、高耐压能力和快速开关特性，适用于多种中低功率应用场景。
类型：N沟道增强型MOSFET
漏源电压（Vds）：25V
栅源电压（Vgs）：10V
漏极电流（Id）：最大200mA（连续）
导通电阻（Rds(on)）：约10Ω（典型值）
工作温度范围：-55°C至+150°C
封装形式：TO-92
2N702具备一系列优良的电气和物理特性，使其在中低功率应用中表现出色。其低导通电阻有助于降低功率损耗，提高系统效率。该器件的栅极驱动电压范围较宽，可在3V至10V之间工作，适用于多种驱动电路设计。
2N702具有较高的开关速度，适合用于高频开关应用，如DC-DC转换器、LED驱动器和负载开关。其TO-92封装结构小巧，便于在空间受限的电路板上安装，并具有良好的热稳定性。
此外，2N702具有良好的抗静电能力，能够在一定程度上抵御静电放电（ESD）损坏。该器件还具备较高的耐用性和稳定性，适用于工业控制、消费电子和通信设备等多种应用领域。
2N702常用于各种中低功率电子电路中，包括电源管理、负载开关、LED驱动器、DC-DC转换器、电机控制和信号放大等应用。在消费电子产品中，它可用于控制小型电机、继电器和LED照明设备。
在工业控制领域，2N702可用于PLC（可编程逻辑控制器）中的输入/输出接口电路，以及传感器和执行器的驱动电路。在通信设备中，该MOSFET可用于电源管理电路和信号切换电路，提高系统的能效和可靠性。
此外，2N702也可用于电池供电设备的电源管理电路中，帮助延长电池寿命，适用于便携式电子设备如遥控器、无线传感器和小型机器人等。
2N701, 2N703
