时间：2025/8/24 19:05:47
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2N7002_D87Z 是一款常见的N沟道增强型MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），广泛用于低电压和中等功率的开关应用。该器件采用SOT-23封装，适合表面贴装技术（SMT）工艺，适用于各类电子设备，如电源管理、电机控制、负载开关、信号处理等。作为一款标准的逻辑电平MOSFET，它可以在较低的栅极驱动电压下工作，提高了与数字电路的兼容性。
类型：N沟道MOSFET
漏源电压(VDS)：60V
栅源电压(VGS)：±20V
漏极电流(ID)：300mA（连续）
功耗(PD)：300mW
工作温度范围：-55°C至+150°C
导通电阻(RDS(on))：约5Ω（在VGS=10V时）
栅极电荷(Qg)：典型值为3.8nC
封装形式：SOT-23
2N7002_D87Z 是一款高性能的N沟道MOSFET，具有优良的导通特性和快速开关响应能力。该器件的栅极驱动电压范围宽广，支持逻辑电平控制，使其能够与各种数字控制器（如微处理器、FPGA、逻辑IC等）直接连接，无需额外的电平转换电路。
该MOSFET的导通电阻较低，在VGS为10V时典型值为5Ω，确保在低功耗条件下实现高效的电流传输。此外，其最大漏极电流为300mA，足以满足许多低至中功率应用的需求，如LED驱动、继电器控制、小型电机驱动和传感器接口电路。
该器件具有良好的热稳定性和可靠性，适合在各种环境温度下运行。其SOT-23封装体积小巧，便于在高密度PCB布局中使用，同时具备良好的散热性能，确保在持续运行中保持稳定性能。
由于其广泛的应用背景和标准化的电气参数，2N7002_D87Z 常被用于电源管理、DC-DC转换器、电池管理系统、负载开关和模拟开关等场合。
2N7002_D87Z 适用于多种电子系统，特别是在需要逻辑电平控制的小型功率开关应用中。典型应用包括：
1. **电源管理**：用于DC-DC转换器、稳压器和负载开关，控制电源通断，提高系统效率。
2. **电机控制**：在小型直流电机、步进电机驱动电路中作为开关元件，实现PWM控制。
3. **LED照明**：用于LED驱动电路中，控制亮度或作为开关使用。
4. **继电器替代**：在需要固态开关的场合替代机械继电器，提高响应速度和寿命。
5. **信号处理**：用于模拟和数字信号切换，如多路复用器、缓冲器等电路。
6. **电池供电设备**：如手持设备、智能电表、便携式医疗设备等，利用其低功耗和高效率特性。
2N7000, BSS138, 2N7002K, 2N7002E, FDV301N
