时间：2025/5/13 14:05:42
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2N7002W 是一种 N 沃区 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），广泛应用于各种电子电路中。该器件具有低导通电阻和快速开关特性，适合用于开关电源、电机驱动、负载切换等应用。
2N7002W 属于小信号增强型 MOSFET，采用 TO-92 封装形式，具备良好的热稳定性和可靠性。
最大漏源电压：60V
最大栅源电压：±20V
最大漏极电流：300mA
导通电阻（Rds(on)）：1.8Ω（在 Vgs=10V 时）
功耗：450mW
工作温度范围：-55°C 至 +150°C
2N7002W 的主要特点是其低导通电阻和高开关速度。这使得它非常适合需要快速切换的应用场景。
此外，该器件的栅极输入阻抗非常高，因此驱动功率需求极低。同时，它的静态功耗非常低，非常适合电池供电设备和其他低功耗设计。
该 MOSFET 具有出色的热稳定性，在高温环境下仍能保持可靠性能。
2N7002W 被广泛应用于多种领域，包括但不限于以下方面：
1. 开关电源中的同步整流
2. 便携式设备中的负载开关
3. 电机控制和驱动
4. 数字逻辑电平转换
5. 音频信号处理中的开关应用
6. 保护电路中的过流检测与限制
BSS138
AO3400
IRLML6401
