时间：2025/5/28 12:02:10
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2N7002W-R1 是一种高性能的 N 沟道增强型小信号 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）。该器件适用于高频开关和线性应用，具有低导通电阻、快速开关速度以及出色的热稳定性。其封装形式为 SOT-23 小型表面贴装封装，非常适合空间受限的设计环境。
2N7002W-R1 广泛应用于消费电子、通信设备、计算机外设及工业控制等领域，尤其在需要高效率和小尺寸解决方案的场合表现出色。
最大漏源电压：60V
最大栅源电压：±20V
连续漏极电流：200mA
脉冲漏极电流：1.1A
导通电阻：1.81nC
开关时间：典型值 10ns
工作结温范围：-55°C 至 +150°C
2N7002W-R1 具备以下显著特性：
1. 采用先进的 MOS 工艺制造，提供较低的导通电阻，从而减少功率损耗并提升效率。
2. 快速开关能力使其非常适合高频电路设计，能够满足现代电子产品对速度的需求。
3. 高度可靠的性能保证了长期使用中的稳定性和一致性。
4. 表面贴装的小型化封装不仅节省了 PCB 空间，还简化了自动化生产流程。
5. 优异的热稳定性确保在极端温度条件下仍能保持正常运行。
6. 兼容多种低压驱动逻辑电路，便于集成到复杂的系统中。
2N7002W-R1 的典型应用包括：
1. 开关电源中的同步整流和小型 DC-DC 转换器。
2. 各类负载开关和保护电路，如过流保护、短路保护等。
3. 音频设备中的信号切换和放大。
4. 便携式电子设备的电池管理模块。
5. 数据通信接口的信号隔离与传输。
6. 电机驱动和控制电路中的功率级元件。
7. 通用小信号处理和逻辑电平转换。
BSS138, 2N7000, PMV20EN
