类型：N沟道
　　最大漏源电压(Vds)：60V
　　最大漏极电流(Id)：110mA @ 25°C
　　导通电阻(Rds(on))：5Ω @ Vgs=10V
　　阈值电压(Vgs(th))：1V ~ 2.5V
　　最大功耗(Pd)：300mW
　　工作温度范围：-55°C ~ 150°C

2N7002W-NL MOSFET具有多项优异特性，适合多种应用场景。首先，其低导通电阻（Rds(on)）可降低导通损耗，提高系统效率。该器件在Vgs=10V时，Rds(on)最大为5Ω，这在同类型MOSFET中属于较低水平。
　　其次，该MOSFET的高开关速度使其适用于高频开关应用，例如开关电源（SMPS）和DC-DC转换器。其快速导通和关断能力减少了开关损耗，提高了整体系统效率。
　　再者，2N7002W-NL采用SOT-23封装，体积小巧，适合高密度PCB布局，同时也降低了封装对散热性能的影响。其最大功耗为300mW，能够在有限的散热条件下保持稳定运行。
　　此外，该器件的阈值电压范围为1V至2.5V，适用于多种控制电路，尤其是由低电压微控制器或逻辑IC驱动的场合。其栅极驱动电压范围较宽，提高了兼容性和设计灵活性。
　　最后，2N7002W-NL具有良好的热稳定性和抗静电能力，能够在较宽的温度范围内可靠工作，适用于工业控制、消费电子和汽车电子等多种应用环境。

2N7002W-NL MOSFET适用于多种电子系统和模块。在电源管理领域，它常用于DC-DC转换器、电池充电电路和负载开关，其低导通电阻和高速开关特性有助于提升能效。
　　在控制电路中，2N7002W-NL可用于驱动LED、继电器、小型电机等负载，适用于嵌入式控制系统和自动化设备。
　　此外，由于其低电压驱动能力和小型封装，该器件也广泛用于便携式电子产品，如智能手机、平板电脑和可穿戴设备中的电源开关和信号控制电路。
　　在工业自动化和通信设备中，2N7002W-NL可用于隔离控制、逻辑电平转换和低功率负载切换，适用于多种数字控制和模拟开关应用。
　　汽车电子方面，该MOSFET可用于车身控制模块、车载充电器和车载信息娱乐系统的电源管理单元，满足汽车电子对可靠性和稳定性的要求。

2N7002K, 2N7002E, BSS138, FDV301N