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2N7002VAC-7 发布时间 时间:2025/12/26 9:48:25 查看 阅读:20

2N7002VAC-7是一款由Diodes Incorporated生产的N沟道增强型MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),广泛应用于中小功率开关和信号切换场合。该器件采用SOT-23小型表面贴装封装,具有低导通电阻、快速开关速度和高可靠性等特点,适合在便携式电子设备、电源管理电路以及数字逻辑接口中使用。2N7002VAC-7的栅极阈值电压较低,能够与TTL或CMOS逻辑电平直接兼容,因此在微控制器驱动LED、继电器或其他负载的应用中表现优异。该MOSFET的漏源电压(VDS)额定值为60V,连续漏极电流可达300mA(受封装散热能力限制),适用于低压直流系统中的高效开关控制。此外,该器件符合RoHS环保标准,并具备良好的热稳定性和抗干扰性能,在工业控制、消费电子和通信设备中均有广泛应用。
  作为2N7002系列的一个变种,2N7002VAC-7在制造工艺上进行了优化,提升了批次一致性和长期可靠性。其SOT-23封装便于自动化贴片生产,节省PCB空间,非常适合高密度组装环境。器件内部结构采用平面技术设计,确保了稳定的电气特性和较低的寄生参数。同时,该MOSFET具备一定的雪崩能量承受能力,能够在瞬态过压条件下提供一定程度的自我保护。由于其通用性强且供货稳定,2N7002VAC-7已成为许多电子产品中常用的分立器件之一。

参数

型号:2N7002VAC-7
  通道类型:N沟道
  漏源电压(VDS):60V
  栅源电压(VGS):±20V
  连续漏极电流(ID):300mA
  脉冲漏极电流(IDM):1.2A
  导通电阻(RDS(on)):最大5.6Ω(VGS=10V, ID=100mA)
  栅极阈值电压(VGS(th)):典型值1.3V,范围1.0V~2.0V
  输入电容(Ciss):约29pF(VDS=10V, VGS=0V, f=1MHz)
  输出电容(Coss):约14pF
  反向传输电容(Crss):约4.5pF
  开启延迟时间(td(on)):约8ns
  关断延迟时间(td(off)):约20ns
  工作温度范围:-55°C ~ +150°C
  存储温度范围:-55°C ~ +150°C
  封装形式:SOT-23

特性

2N7002VAC-7具备多项关键特性,使其在众多同类N沟道MOSFET中脱颖而出。首先,其低导通电阻RDS(on)确保了在小电流应用下功耗极低,有助于提升整体系统的能效。当栅极驱动电压达到10V时,RDS(on)最大仅为5.6Ω,这意味着在300mA负载电流下,导通压降小于1.7V,显著降低了发热风险。这一特性对于电池供电设备尤为重要,可有效延长续航时间。其次,该器件具有优良的开关性能,得益于较小的栅极电荷和低输入/输出电容,使得其开关速度非常快,开启和关断延迟时间分别约为8ns和20ns,适合高频PWM调光或高速信号切换场景。这种快速响应能力在驱动LED背光、电机控制或电源同步整流中表现出色。
  另一个重要特性是其良好的热稳定性与可靠性。2N7002VAC-7的工作结温最高可达+150°C,表明其在高温环境下仍能保持正常工作,适用于工业级应用场景。同时,器件经过严格的质量管控,具备高抗静电能力(HBM ESD耐压可达±2000V以上),增强了在实际装配和运行过程中的鲁棒性。此外,其栅极阈值电压范围适中(1.0V~2.0V),既能保证在低电压逻辑信号(如3.3V或5V MCU输出)下可靠导通,又避免了因噪声干扰导致误触发的风险。
  从封装角度看,SOT-23是一种成熟且广泛使用的三引脚表面贴装封装,具有良好的焊接可靠性和散热性能。尽管体积小巧,但通过优化PCB布局(如增加铜箔面积),仍可实现较好的热管理效果。该器件还具备一定的体二极管反向耐压能力,可在感性负载关断时提供续流路径,减少电压尖峰对主控芯片的损害。综合来看,2N7002VAC-7以其高性价比、稳定性能和广泛适用性,成为现代电子设计中不可或缺的基础元件之一。

应用

2N7002VAC-7的应用领域十分广泛,主要集中在低功率开关和信号控制方面。在消费类电子产品中,它常用于智能手机、平板电脑和可穿戴设备中的电源管理模块,例如用于控制不同功能模块的供电通断,实现节能待机或动态电源分配。在LED照明系统中,该MOSFET可用于PWM调光电路,通过微控制器输出信号精确调节亮度,其快速开关特性确保了无闪烁的视觉体验。此外,在各类家用电器如电视、音响、路由器等设备中,2N7002VAC-7也常被用作继电器驱动器或蜂鸣器控制开关,替代传统双极型晶体管以降低驱动电流需求并提高响应速度。
  在工业控制领域,该器件适用于PLC输入输出模块、传感器信号切换、电磁阀驱动等场合。由于其具备较强的抗干扰能力和宽工作温度范围,能在较为恶劣的电气环境中稳定运行。在通信设备中,2N7002VAC-7可用于I2C、SPI等总线信号的电平转换或线路隔离,防止主控芯片受到外部电路影响。另外,在电源管理系统中,它可以作为理想二极管使用,防止反向电流流动,提升系统安全性。在嵌入式开发板和模块化电路设计中,该MOSFET也是常见的GPIO扩展驱动元件,用于增强微处理器引脚的驱动能力,从而直接控制更高功率的外设。总之,凭借其小尺寸、高性能和高可靠性,2N7002VAC-7几乎覆盖了所有需要低成本、高效率开关解决方案的电子系统。

替代型号

MMBF2N7002, FDN301N, BSS138, 2N7002, DMG2305U

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2N7002VAC-7参数

  • 标准包装3,000
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 阵列
  • 系列-
  • FET 型2 个 N 沟道(双)
  • FET 特点标准型
  • 漏极至源极电压(Vdss)60V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C280mA
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C7.5 欧姆 @ 50mA,5V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)2.5V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs-
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds50pF @ 25V
  • 功率 - 最大150mW
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳SOT-563,SOT-666
  • 供应商设备封装SOT-563
  • 包装带卷 (TR)