2N7002TR 时间：2025/8/15 1:51:31 阅读：25

2N7002TR 是一款常用的N沟道增强型MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），广泛应用于开关电路、逻辑电平转换以及负载控制等场合。该器件采用SOT-23封装形式，具有较低的导通电阻和良好的开关性能，适合于中低功率的电子设计。2N7002TR具有高可靠性和稳定性，适合工业级应用。

参数

类型：N沟道增强型MOSFET
　　漏源电压（VDS）：60V
　　栅源电压（VGS）：±20V
　　连续漏极电流（ID）：300mA
　　导通电阻（RDS(on)）：5Ω（最大）
　　功耗（PD）：300mW
　　工作温度范围：-55°C 至 +150°C
　　封装形式：SOT-23

特性

2N7002TR的主要特性之一是其在低电压驱动下仍能保持良好的导通性能，使其适用于逻辑电路控制和低功耗设计。该器件的栅极驱动电压范围较宽，通常在2.5V至10V之间即可有效控制导通状态，便于与不同类型的逻辑IC接口兼容。此外，2N7002TR的封装形式为SOT-23，体积小、重量轻，有利于PCB布局紧凑化设计。该MOSFET具备较高的热稳定性，可以在较高的温度环境下稳定运行，适用于工业控制、消费电子、通信设备等应用场景。其较低的输入电容和快速的开关响应时间也使其在高频开关电路中表现出色，适用于PWM控制和电源管理应用。
　　另外，2N7002TR具有良好的抗静电能力和较高的耐用性，能够在恶劣环境下保持稳定的性能。该器件的制造工艺成熟，可靠性高，供货稳定，是许多电子设计中的首选MOSFET之一。此外，由于其成本相对较低，广泛用于各种基础和中等复杂度的电子系统中。

应用

2N7002TR的应用领域非常广泛，包括但不限于逻辑电平转换器、低功率开关电路、LED驱动电路、继电器驱动电路、电源管理模块、电池供电设备、嵌入式系统以及各种需要小型化MOSFET的场合。此外，它还常用于数字电路中的负载控制、信号切换以及作为缓冲器或驱动器使用。由于其封装小巧，也适合用于便携式设备和空间受限的设计中。