类型：N沟道增强型MOSFET
　　封装类型：SOT-23
　　漏源电压（VDS）：60V
　　栅源电压（VGS）：±20V
　　最大连续漏极电流（ID）：110mA
　　导通电阻（RDS(on)）：约5Ω（在VGS=10V时）
　　工作温度范围：-55°C至+150°C

2N7002TB_R1_00001 具备多个显著特性，适用于广泛的电子设计领域。首先，其高开关速度使得该器件非常适合高频应用，如DC-DC转换器和PWM控制电路。其次，该MOSFET的低导通电阻有助于减少导通状态下的功率损耗，从而提高整体系统的效率。此外，它具有良好的热稳定性，在高温度环境下仍能保持稳定工作性能，这使得其适用于工业级和汽车电子应用。
　　该器件的栅极驱动电压范围宽，支持从+4.5V到+10V的输入，能够与多种控制电路兼容，包括常见的5V和3.3V逻辑系统。这种灵活性使其在各种微处理器控制的系统中非常受欢迎。此外，2N7002TB_R1_00001 的SOT-23封装体积小巧，便于在高密度PCB布局中使用，同时具备良好的散热能力，有助于维持器件在高负载下的稳定运行。
　　该MOSFET还具有较高的耐用性和可靠性，适用于各种恶劣的工作环境。其内部结构设计确保了较低的漏电流和较高的击穿电压容忍度，能够在电压波动较大的情况下保持稳定运行。

2N7002TB_R1_00001 常用于各种电子设备中的开关控制电路。典型应用包括电源管理模块、电池供电设备、负载开关、LED驱动电路、继电器驱动、微控制器外围电路等。由于其低功耗和小尺寸特性，它在便携式电子产品如智能手机、平板电脑和可穿戴设备中也有广泛应用。
　　在工业自动化和控制系统中，该器件常用于驱动继电器、小型电机和传感器电路。在汽车电子系统中，它可以用于车身控制模块（BCM）、车载娱乐系统和LED照明控制系统。此外，它也适用于通信设备中的信号路由和电源控制应用。

2N7002, 2N7002K, 2N7002LT, BSS138