时间：2025/12/24 0:06:54
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2N7002Q-7-F是一款高性能的N沟道增强型小信号场效应晶体管（MOSFET），广泛应用于开关和放大电路中。它属于 Vishay Siliconix 系列产品，具有低导通电阻、高开关速度以及出色的热稳定性等特性。
该器件采用 SOT-23 封装形式，适用于空间受限的应用场景，并且能够承受高达 60V 的漏源电压。由于其优异的性能，2N7002Q-7-F 成为许多消费电子、通信设备及工业控制领域中的理想选择。
最大漏源电压（Vds）：60V
栅源开启电压（Vgs(th)）：1V 至 3V
连续漏极电流（Id）：200mA
脉冲漏极电流（Id,pulse）：1.1A
导通电阻（Rds(on)）：2.1Ω（在 Vgs=4.5V 时）
总功耗（Ptot）：425mW
工作结温范围（Tj）：-55°C 至 +150°C
2N7002Q-7-F 具有以下显著特点：
1. 极低的导通电阻 Rds(on)，确保了高效能转换，减少了功率损耗。
2. 快速开关能力，适合高频应用环境。
3. 提供卓越的静电放电保护性能，提高了器件的可靠性。
4. 符合 RoHS 标准，绿色环保设计。
5. 耐热增强型封装，提升了散热效果。
6. 在较宽的工作温度范围内保持稳定表现，增强了恶劣条件下的适应性。
2N7002Q-7-F 广泛应用于以下领域：
1. 消费电子产品中的电源管理模块，例如手机充电器、笔记本电脑适配器。
2. 工业自动化设备中的信号切换与逻辑控制。
3. 数据通信接口保护，如 USB 和以太网端口防护。
4. 开关模式电源（SMPS）中的同步整流功能。
5. 可携式装置中的负载开关控制，例如平板电脑和便携式媒体播放器。
6. LED 驱动电路中的调光控制单元。
2N7002KW, BSS138, PMV40UN
