时间：2025/9/14 13:38:52
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2N7002PV,115 是一款由 Nexperia（安世半导体）生产的 N 沟道增强型 MOSFET，广泛应用于各种电子设备中。该器件采用小型 SOT-23 封装，适合高密度 PCB 设计。MOSFET 用于开关和放大应用，2N7002PV,115 提供了良好的导通电阻和开关性能，适用于逻辑接口电路、负载开关、DC-DC 转换器等。
类型：N沟道增强型MOSFET
漏源电压(Vds)：60V
栅源电压(Vgs)：±20V
连续漏极电流(Id)：300mA
导通电阻(Rds(on))：5Ω @ Vgs=10V
开启电压(Vgs(th))：1V ~ 3V
功耗(Pd)：300mW
工作温度范围：-55°C ~ 150°C
2N7002PV,115 MOSFET 具有多种关键特性，使其适用于多种电子应用。首先，其漏源电压 (Vds) 为 60V，栅源电压 (Vgs) 为 ±20V，这意味着该器件能够在中等高压环境下稳定工作。此外，连续漏极电流 (Id) 为 300mA，使其适用于低至中功率的开关应用。该器件的导通电阻 (Rds(on)) 为 5Ω，在 Vgs=10V 的条件下表现良好，有助于减少导通损耗，提高能效。开启电压 (Vgs(th)) 范围为 1V 至 3V，表明该器件能够在较低的栅极电压下导通，非常适合与逻辑电平电路配合使用。此外，该器件的功耗为 300mW，确保在 SOT-23 小型封装下具有良好的热稳定性。工作温度范围为 -55°C 至 150°C，适用于工业级和汽车电子等严苛环境。该器件还具有快速开关能力，适合用于高频应用，如 DC-DC 转换器和 PWM 控制电路。总的来说，2N7002PV,115 是一款性能稳定、应用广泛的 N 沟道 MOSFET，特别适合空间受限但需要可靠性能的电路设计。
2N7002PV,115 MOSFET 可用于多种电子电路，尤其是在需要小尺寸封装和中等功率处理能力的场合。例如，该器件广泛应用于逻辑电平转换器中，用于将低电压逻辑信号转换为高电压控制信号，以驱动外部负载。在电源管理电路中，它可用于负载开关或稳压器，实现对电源的高效控制。此外，该器件也常用于 DC-DC 转换器中的同步整流或开关部分，以提高转换效率。在工业自动化和汽车电子系统中，2N7002PV,115 可用于驱动继电器、LED 或小型电机等负载。由于其 SOT-23 封装具有良好的焊接性和热性能，因此也非常适合用于高密度 PCB 设计和 SMT（表面贴装技术）制造流程。
2N7002K,115; 2N7002E,115; BSS138,115
