2N7002P.235 时间：2025/9/14 2:28:24 阅读：26

2N7002P.235 是一款常用的 N 沟道增强型场效应晶体管（MOSFET），广泛应用于低电压开关电路、逻辑控制、负载驱动等场景。该器件采用小功率封装，具备较高的开关速度和较低的导通电阻。2N7002P.235 是飞利浦半导体（现恩智浦半导体）生产的一款标准型号，具有良好的可靠性和通用性，适用于多种电子设备。

参数

类型：N 沟道增强型 MOSFET
　　漏源电压 Vds：60 V
　　栅源电压 Vgs：±20 V
　　漏极电流 Id（最大值）：300 mA
　　导通电阻 Rds(on)：约 5 Ω（典型值）
　　功耗（Ptot）：300 mW
　　工作温度范围：-55°C 至 +150°C
　　封装形式：SOT-23

特性

2N7002P.235 采用先进的硅栅技术，具备较高的开关速度和良好的热稳定性。其导通电阻较低，使得在开关过程中能量损耗较小，适合用于高频率开关应用。此外，该器件具备较强的抗静电能力，能够在较为恶劣的工作环境中保持稳定运行。由于其封装小巧、功耗低、易于驱动，该 MOSFET 非常适合用于数字电路中的开关控制，例如驱动 LED、继电器、小型马达等负载。
　　其栅极驱动电压范围较宽，支持 4.5V 至 10V 的栅极驱动，适用于多种控制电路。此外，2N7002P.235 具有良好的热保护特性，能够在高温条件下自动降低电流以防止损坏。其封装形式 SOT-23 非常适合在空间受限的 PCB 设计中使用，广泛应用于便携式电子产品、工业控制系统和消费类电子设备中。

应用

2N7002P.235 常用于电源管理、信号切换、电机驱动、LED 控制、继电器驱动、逻辑电平转换以及各种低功率开关电路。在数字电路中，它作为高侧或低侧开关，用于控制负载的通断。例如，在微控制器系统中，可用于驱动 MOSFET 栅极、控制 LED 显示或管理小型风扇等外围设备。此外，该器件也广泛应用于传感器接口电路、模拟开关电路以及低电压 DC-DC 转换器中。由于其封装紧凑、性能稳定，也适合用于汽车电子、智能家居设备和嵌入式系统等领域。