2N7002P,235 是一款常用的 N 沟道增强型 MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),由 Nexperia 生产。这款晶体管以其高可靠性和稳定的电气性能广泛应用于各类电子电路中,尤其是在需要高速开关和低功耗设计的场合。2N7002P 采用 SOT-23 封装,体积小,适合高密度 PCB 布局。
类型:N 沟道增强型 MOSFET
漏极电流 (Id):最大 300 mA
漏源电压 (Vds):最大 60 V
栅源电压 (Vgs):±20 V
导通电阻 (Rds(on)):最大 5 Ω(在 Vgs=10V 时)
工作温度范围:-55°C 至 +150°C
封装形式:SOT-23
功率耗散:300 mW
2N7002P,235 具备多项显著特性,适用于多种电子设计场景。
首先,其较高的漏源电压(60V)允许该器件在较高电压下工作,增强了其在电源管理和开关应用中的适用性。此外,2N7002P 的最大漏极电流为 300mA,能够满足中等功率应用的需求,例如驱动小型继电器、LED 灯或直流电机。
其次,2N7002P 的导通电阻较低,最大为 5Ω(在 Vgs=10V 时),这有助于降低导通状态下的功率损耗,提高电路效率。这对于需要长时间运行的设备尤为重要,例如电池供电设备或低功耗控制系统。
再者,该器件的栅源电压范围为 ±20V,使其在控制电路中具有较强的抗干扰能力,并能够在多种驱动条件下稳定工作。其 SOT-23 封装形式不仅节省空间,还便于自动化生产和焊接,提高了制造效率。
最后,2N7002P 的工作温度范围为 -55°C 至 +150°C,适用于较为严苛的工业环境。无论是汽车电子、消费类电子产品还是工业控制系统,该器件都能提供稳定可靠的性能。
2N7002P,235 主要应用于以下领域:
1. **电源管理**:用于 DC-DC 转换器、稳压器和负载开关等电路中,实现高效的电能管理。
2. **信号切换**:作为高速开关,用于数字电路中的信号路径切换或逻辑控制。
3. **电机驱动**:适用于小型直流电机或步进电机的控制,如风扇调速、机器人控制等。
4. **LED 驱动**:用于 LED 背光、照明和指示灯的控制,实现稳定的电流控制。
5. **继电器驱动**:作为继电器的驱动开关,用于隔离和控制高压或大电流负载。
6. **电池供电设备**:由于其低功耗特性,广泛用于便携式设备如手持仪器、智能穿戴设备等。
2N7002K, 2N7002E, BSS138, FDN302P, PMV48XP