时间：2025/5/30 0:41:10
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2N7002P 是一种 N 治道金属氧化物半导体场效应晶体管（NMOS FET），广泛应用于模拟和数字电路中。该器件具有低导通电阻、高开关速度和出色的线性特性，适用于信号切换、负载驱动和电源管理等应用。其封装形式多样，能够满足不同的设计需求。2N7002P 的工作电压范围较广，能够承受较高的漏源极电压，同时具备良好的热稳定性和可靠性。
215可能是与之相关的编号或附加信息，但并非标准的元器件型号。
最大漏源电压：60V
最大栅源电压：±20V
最大漏极电流：200mA
导通电阻：1.8Ω
功耗：400mW
至150℃
2N7002P 是一款小型高效 NMOS 场效应晶体管，主要特点如下：
1. 高开关速度，适合高频应用环境。
2. 极低的导通电阻确保在大电流下的高效运行。
3. 具备良好的静电防护能力，增强了器件的稳定性。
4. 工作电压范围宽，支持多种电压等级的应用场景。
5. 小型化封装使其易于集成到紧凑型设计中。
这些特点使得该晶体管在便携式设备、消费类电子产品以及工业控制领域中表现优异。
2N7002P 广泛应用于以下场景：
1. 开关电源中的同步整流电路。
2. 负载开关及保护电路，如过流保护和短路保护。
3. 数字逻辑电路中的信号切换。
4. 电池管理系统中的充放电控制。
5. 各种音频设备中的静音控制。
由于其出色的电气性能和可靠性，这款晶体管成为许多工程师的首选解决方案。
2N7000, BSS138, PMV20UN
