2N7002NXBKR 时间：2025/9/14 21:36:22 阅读：34

2N7002NXBKR 是一款由ON Semiconductor生产的N沟道增强型功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），广泛用于低电压和中等功率的应用。该器件采用小型SOT-23封装，适合空间受限的电路设计。其低导通电阻和快速开关特性使其适用于负载开关、电源管理和脉宽调制（PWM）控制等应用。

参数

类型：N沟道增强型MOSFET
　　最大漏源电压（Vds）：60V
　　最大栅源电压（Vgs）：±20V
　　最大连续漏极电流（Id）：110mA
　　最大功耗（Pd）：300mW
　　导通电阻（Rds(on)）：5Ω（最大值，Vgs=10V）
　　工作温度范围：-55°C 至 150°C
　　封装形式：SOT-23

特性

2N7002NXBKR具有多种优异的电气和物理特性，使其适用于多种电子设计应用。首先，其最大漏源电压为60V，支持在中等电压环境下稳定工作。该器件的栅源电压范围为±20V，提供了良好的栅极控制能力并防止栅极击穿。最大连续漏极电流为110mA，适合低电流开关应用。此外，其导通电阻最大为5Ω，在Vgs=10V时可提供较低的功率损耗，从而提高整体能效。
　　该器件的封装形式为SOT-23，体积小巧，便于在紧凑的PCB布局中使用。最大功耗为300mW，确保在正常工作条件下保持良好的热稳定性。其工作温度范围为-55°C至150°C，可在广泛的环境条件下可靠运行，适用于工业和消费类电子产品。
　　2N7002NXBKR还具有快速开关特性，使其适用于需要高频操作的应用，如DC-DC转换器、马达控制和LED驱动电路。此外，该MOSFET的高可靠性和成熟的制造工艺确保其在长期使用中具有良好的稳定性和耐用性。

应用

2N7002NXBKR主要应用于各种电子设备中，特别是在需要低功耗和紧凑设计的场合。常见应用包括电源管理电路中的负载开关、电池供电设备的电源控制、信号路由开关、LED照明控制、小型电机驱动以及各种数字逻辑电路中的开关元件。由于其高频率响应能力，该器件也常用于DC-DC转换器和脉宽调制（PWM）控制电路中，以提高系统的能效和响应速度。此外，它还可用于保护电路，如过流保护和反向电压保护，确保电子设备在异常条件下安全运行。