时间：2025/9/13 21:05:26
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2N7002NXAK 是一款由 ON Semiconductor 生产的 N 沟道增强型功率 MOSFET，广泛用于需要高效率和高性能的电源管理应用中。该器件具有低导通电阻（RDS(on)）、高电流处理能力和优良的热性能，适用于开关电源、电机控制、负载开关和电池管理系统等多种场景。
类型：N 沟道增强型 MOSFET
漏极-源极电压（VDS）：60V
栅极-源极电压（VGS）：±20V
连续漏极电流（ID）：340mA（@25°C）
功耗（PD）：300mW
工作温度范围：-55°C ~ 150°C
导通电阻（RDS(on)）：5Ω（@VGS=10V）
栅极电荷（QG）：8nC（@VGS=10V）
封装形式：SOT-23
2N7002NXAK 是一款性能优异的 N 沟道 MOSFET。其最大漏极-源极电压为 60V，使其适用于中高压应用。该器件的栅极-源极电压范围为 ±20V，确保了其在多种驱动电路中的可靠性。漏极电流能力为 340mA，在小功率应用中表现良好，例如用于信号控制和小型电源系统。该器件的功耗为 300mW，结合其 SOT-23 封装，提供了良好的热管理和空间利用率。
导通电阻 RDS(on) 为 5Ω，在 VGS=10V 的条件下，确保了较低的导通损耗，有助于提高系统的整体效率。此外，其栅极电荷为 8nC，较低的 QG 有助于减少开关损耗，提高开关频率下的性能表现。工作温度范围宽，从 -55°C 到 150°C，使得 2N7002NXAK 在极端环境条件下也能稳定工作。SOT-23 封装形式适合表面贴装技术，广泛用于现代 PCB 设计中。
2N7002NXAK 被广泛应用于各种电子设备和系统中。在电源管理领域，它可用于 DC-DC 转换器、AC-DC 电源适配器和负载开关。在电机控制应用中，它可以作为功率开关器件，控制小型电机的运行。此外，2N7002NXAK 也常用于电池管理系统，如便携式设备的充放电控制。由于其高可靠性和宽工作温度范围，它还适用于工业自动化和汽车电子系统中的电源控制部分。
2N7002K, 2N7002E, BSS138, 2N3904
