类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压（VDS）：60V
　　栅源电压（VGS）：±20V
　　连续漏极电流（ID）：110mA
　　功耗（PD）：300mW
　　工作温度范围：-55°C 至 +150°C
　　导通电阻（RDS(on)）：5Ω（最大）
　　开启阈值电压（VGS(th)）：1V 至 3V
　　输入电容（Ciss）：约35pF
　　封装类型：SOT-23

2N7002NL具有多种优异的电气和物理特性，使其在各种电子电路中表现出色。
　　首先，该MOSFET的最大漏源电压为60V，允许其在较高的电压环境下工作，适用于多种电源转换和控制应用。其连续漏极电流为110mA，能够满足低功率开关和信号控制的需求。此外，该器件的最大功耗为300mW，在正常工作条件下具备良好的热稳定性，能够长时间运行而不会因过热损坏。
　　其次，2N7002NL的导通电阻最大为5Ω，这一参数决定了其在导通状态下的电压降和功耗。较低的导通电阻有助于提高能效，减少热量产生，提高整体系统效率。其开启阈值电压范围为1V至3V，适合与多种逻辑电平驱动电路兼容，包括5V和3.3V系统，提高了其在数字控制电路中的适用性。　　最后，2N7002NL的工作温度范围为-55°C至+150°C，适应性强，可在各种恶劣环境下稳定工作，适用于工业、汽车和消费类电子产品。

2N7002NL由于其优良的电气特性和紧凑的封装形式，被广泛应用于多个领域。
　　在数字电路中，2N7002NL常用于电平转换、信号开关和逻辑控制。它可以作为低边开关控制LED、继电器、小型电机等负载。其高开关速度和低导通电阻使其非常适合用于PWM（脉宽调制）控制和电源管理应用。
　　在电源管理方面，该MOSFET可用于DC-DC转换器、电池充电电路和负载开关。其低导通电阻有助于提高电源转换效率，减少能量损耗，延长电池寿命。
　　在工业自动化和控制系统中，2N7002NL可用于控制传感器信号、继电器驱动和小型执行机构的控制。其宽工作温度范围确保其在严苛的工业环境中仍能稳定运行。
　　此外，2N7002NL也广泛应用于消费类电子产品，如智能手机、平板电脑、便携式音频设备和智能穿戴设备中，用于电源开关、信号路由和低功耗控制等应用场景。

2N7002K, 2N7000, BSS138, FDV301N