时间：2025/8/13 20:16:16
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2N7002M3T5G是一款N沟道增强型场效应晶体管（MOSFET），广泛用于低电压和中等功率应用。该器件采用先进的硅栅极技术，具备高导通性能和低开关损耗，适用于多种高频和功率管理电路。
类型：N沟道MOSFET
漏极电流（ID）：115mA
漏极-源极击穿电压（VDS）：60V
栅极-源极电压（VGS）：±20V
导通电阻（RDS(on)）：5Ω（最大值，VGS=10V）
功率耗散（PD）：300mW
工作温度范围：-55°C至150°C
封装类型：SOT-23
2N7002M3T5G具备多个优异的电气特性，使其在各种应用中表现卓越。其低导通电阻确保在高电流下也能保持较低的功率损耗，从而提高整体效率。此外，该器件具备快速开关能力，适用于高频操作，降低了开关损耗。其高栅极击穿电压提供了良好的可靠性，能够承受瞬态电压波动。SOT-23封装设计紧凑，适用于高密度PCB布局，并提供良好的热管理性能。
这款MOSFET还具备良好的温度稳定性，在极端温度条件下仍能保持稳定的电气性能。此外，其高电流承载能力和良好的热阻特性使其适用于需要一定功率处理能力的应用。2N7002M3T5G的制造工艺确保了高一致性和长寿命，适合在各种工业和消费类电子产品中使用。
2N7002M3T5G常用于电源管理、DC-DC转换器、负载开关、LED驱动器和电池供电设备等应用。其低导通电阻和快速开关特性使其非常适合用于高效能小型电源系统。此外，该器件也常见于信号开关、逻辑控制电路和传感器接口电路中，提供可靠的开关性能。
2N7002, 2N7002K, 2N7002DW, BSS138
