类型：N沟道MOSFET
　　最大漏极电流（ID）：100mA
　　最大漏源电压（VDS）：60V
　　最大栅源电压（VGS）：±20V
　　导通电阻（RDS(on)）：最大5Ω @ VGS=10V
　　阈值电压（VGS(th)）：典型值1.7V，范围1.0V至2.5V
　　功耗（PD）：200mW
　　工作温度范围：-55°C至+150°C
　　封装形式：SOT-23

2N7002KWH T/R 具备多个显著特性，使其在电子设计中广泛使用。首先，其N沟道结构提供了较高的电子迁移率，使得该MOSFET在低电压应用中具有良好的导电性能。其次，该器件的漏源电压额定值为60V，可在中等电压环境中稳定工作，同时具备较高的电压耐受能力。栅源电压的最大额定值为±20V，意味着该器件能够在较大的控制电压范围内安全运行，增强了其在不同电路环境下的适应性。
　　此外，2N7002KWH T/R 的导通电阻在VGS=10V时最大为5Ω，这有助于减少导通状态下的功率损耗，提高能效。其阈值电压典型值为1.7V，适用于TTL或CMOS逻辑电平控制，便于与数字电路直接连接。该器件的封装形式为SOT-23，体积小巧，便于在高密度PCB布局中使用，同时支持表面贴装工艺，提高了制造效率和焊接可靠性。
　　从热性能角度来看，该MOSFET的最大功耗为200mW，适合在常规工作条件下使用，且其工作温度范围宽广（-55°C至+150°C），可在极端环境条件下保持稳定运行，提升了产品的适用性和耐用性。

2N7002KWH T/R MOSFET因其小巧的封装和良好的电气性能，被广泛应用于多种电子设备和系统中。在电源管理领域，该器件可用于低电流负载的开关控制，如电池供电设备的电源管理电路。在信号开关和逻辑控制电路中，该MOSFET可作为高速开关，用于隔离或切换信号路径，适用于数字电路和微控制器接口电路。
　　此外，2N7002KWH T/R 常见于LED驱动电路中，用于控制LED的导通与关闭，适用于低功率LED显示和照明系统。它也被广泛用于电机控制、继电器驱动和传感器接口电路中，作为小功率驱动元件，提供高效、可靠的开关功能。
　　在通信设备和计算机外围设备中，该MOSFET用于电平转换和信号路由，能够有效提高系统的响应速度和稳定性。在工业控制和自动化系统中，它常用于小型继电器或执行器的驱动电路中，实现远程控制和自动化操作。
　　由于其封装形式适合表面贴装技术，因此在需要高密度PCB布局的现代电子设备中尤为常见，例如消费类电子产品、便携式仪器、智能家居设备以及汽车电子系统。

2N7002LT, 2N7002DW, 2N7002SW, BSS138, 2N7000