时间：2025/6/30 15:27:04
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2N7002KW-R1 是一种增强型 N 沟道 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），属于 Vishay Siliconix 公司的 2N7002 系列。该器件广泛应用于开关电源、DC-DC 转换器、负载开关和保护电路等领域。其设计特点包括低导通电阻、高开关速度和出色的热稳定性，使其非常适合于便携式电子设备和工业控制应用。
该型号中的“-R1”通常表示改进或修订版本，可能在封装、测试标准或可靠性方面有所优化。
最大漏源电压 Vds：60V
最大栅源电压 Vgs：±20V
最大连续漏电流 Id：200mA
峰值脉冲漏电流 Ipp：4A
导通电阻 Rds(on)：2.5Ω（在 Vgs=10V 时）
总功耗 Ptot：400mW
工作温度范围 Tj：-55°C 至 +150°C
2N7002KW-R1 的主要特点是低导通电阻和小尺寸 SOT-23 封装，这使得它非常适用于空间受限的应用场景。此外，该器件具有以下优点：
1. 高开关速度：由于较低的输入电容和输出电容，确保了快速的开启和关闭时间。
2. 静态功耗低：极低的栅极驱动功率需求。
3. 热稳定性强：能够在较宽的工作温度范围内保持性能稳定。
4. 高可靠性：通过了 MIL-STD-883 标准测试，适合恶劣环境下的使用。
5. ESD 保护：内置静电放电保护功能，增强了器件的抗干扰能力。
2N7002KW-R1 常用于以下应用场景：
1. 开关电源和 DC-DC 转换器中的同步整流器。
2. 手机、平板电脑和其他便携式设备中的负载开关。
3. 电池管理系统中的保护电路。
4. 工业控制和电机驱动中的信号切换。
5. 数据通信设备中的线路保护和信号隔离。
6. 各种低压、小电流的电子电路中作为通用开关或放大器使用。
2N7002,
2N7002KS,
BSS138,
FDC655AN,
AO3400
