时间：2025/8/14 8:31:23
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2N7002KW-AU 是一款由 ON Semiconductor 生产的 N 沟道增强型 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），广泛应用于低功率开关和逻辑电平转换电路中。该器件采用小外形封装（SOT-363 或 SC-89），适用于需要高密度布局的便携式电子设备和数字电路。
类型：N 沟道增强型 MOSFET
漏源电压 Vds：60V
栅源电压 Vgs：±20V
连续漏极电流 Id（最大）：300mA
导通电阻 Rds(on)：5.5Ω @ Vgs=10V
导通阈值电压 Vgs(th)：1V ~ 2.5V
功耗（Pd）：300mW
工作温度范围：-55°C ~ +150°C
2N7002KW-AU 的主要特性包括低导通电阻、高开关速度以及良好的热稳定性。
该器件具有较低的输入电容（Ciss）和输出电容（Coss），使其在高频开关应用中表现出色，适用于数字电路中的信号控制和负载开关。
此外，2N7002KW-AU 采用 SOT-363 封装，体积小、重量轻，适合高密度 PCB 布局。
其栅极驱动电压范围宽，可在 2V 至 10V 之间正常工作，兼容多种逻辑电平标准（如 TTL 和 CMOS）。
该 MOSFET 还具有较高的耐压能力（Vds 最大 60V），适用于中低压电源管理应用，如 LED 驱动、继电器控制和电池供电系统。
2N7002KW-AU 主要用于以下应用场景：
1. 数字电路中的信号开关和逻辑电平转换；
2. 低功率负载控制，如 LED 驱动、小型继电器和电机控制；
3. 电池供电设备中的电源管理；
4. 接口电路中的隔离和缓冲作用；
5. 工业自动化控制系统中的低电压开关应用。
2N7002K, 2N7002E, BSS138, FDV301N, 2N3904（双极型晶体管替代，但需注意驱动方式不同）
