类型: N沟道增强型MOSFET
　　漏源电压(VDS): 60V
　　栅源电压(VGS): ±20V
　　连续漏极电流(ID): 115mA
　　导通电阻(RDS(ON)): 最大值为5Ω（在VGS=10V时）
　　阈值电压(VGS(th)): 1V至3V
　　功耗(PD): 300mW
　　工作温度范围: -55°C至+150°C
　　封装类型: SOT-23
　　引脚数: 3

2N7002KW 72K MOSFET具备多项优良特性，包括低导通电阻（RDS(ON)），这使得在开关状态下功率损耗最小化，从而提高整体系统效率。其115mA的连续漏极电流能力适用于小型负载开关和信号切换应用。此外，该器件具有高耐压能力，漏源电压可达到60V，适用于多种低压电源系统。栅极驱动电压范围宽，可在+10V至+20V之间工作，使得它可以与多种驱动电路兼容。
　　该MOSFET采用SOT-23小型封装，便于在PCB上布局并节省空间。其±20V的栅源电压耐受能力增强了抗干扰能力，提升了器件在复杂电磁环境下的可靠性。此外，该器件的阈值电压范围为1V至3V，使得其适用于多种逻辑电平驱动，如3.3V或5V控制系统。
　　在热性能方面，该器件具有良好的热稳定性，能够在-55°C至+150°C的宽温度范围内稳定工作，适用于工业级和汽车电子等对可靠性要求较高的应用场合。

2N7002KW 72K 主要用于低功率开关电路、LED驱动、继电器替代、电源管理模块、电池供电设备、信号切换电路以及工业自动化控制系统等场景。其优异的开关性能和良好的热稳定性也使其适用于DC-DC转换器、电机驱动和传感器接口电路中。

BS170, 2N7000, 2N7002K, 2N7002E, 2N7002N