时间：2025/4/29 16:06:50
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2N7002KV 是一款增强型 N 沟道 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）。该器件广泛应用于开关电路、电源管理、信号放大等领域。其设计目的是在低电压应用中提供高性能的开关特性。2N7002KV 的封装形式为 SOT-23 小型表面贴装封装，适合高密度电路板布局。
这款 MOSFET 具有较低的导通电阻和快速开关速度，能够在小体积条件下实现高效的功率转换。由于其工作电压范围较宽且驱动要求简单，因此在便携式设备、消费电子和工业控制领域非常受欢迎。
最大漏源电压：60V
最大栅源电压：±20V
最大漏极电流：0.2A（脉冲时可达1A）
导通电阻：25Ω（典型值，当 Vgs=10V 时）
功耗：340mW
工作温度范围：-55°C 至 +150°C
封装形式：SOT-23
2N7002KV 的主要特点是其增强型模式操作，只有当栅源电压高于阈值电压时，器件才会开启并允许电流从漏极流向源极。
它的低导通电阻使其能够以最小的功率损耗传输电流，非常适合电池供电的应用场景。此外，其快速开关特性减少了开关过程中的能量损失，从而提高了整体效率。
2N7002KV 还具有出色的静电放电 (ESD) 防护能力，增强了器件在各种环境下的可靠性。
由于采用 SOT-23 封装，它具备较小的外形尺寸和较低的热阻，便于散热管理和 PCB 空间优化。
2N7002KV 常用于需要小型化和高效功率控制的场景，例如负载开关、电机驱动器、LED 驱动电路以及便携式电子设备中的电源管理。
它也适用于音频信号切换、数据通信接口保护和电池保护电路等应用。在工业领域，该 MOSFET 可用于信号调节模块、传感器接口以及低功率继电器替代方案。
其低漏电流和稳定的性能使得它成为需要长时间待机或低功耗运行设备的理想选择。
BSS138
AO3400
FDC6530
2N7000
