类型：N沟道
　　极性：增强型
　　漏源电压（Vds）：60V
　　栅源电压（Vgs）：±20V
　　连续漏极电流（Id）：300mA @ 25°C
　　脉冲漏极电流（Idm）：1.2A
　　导通电阻（Rds(on)）：最大4.5Ω @ Vgs=10V, Id=100mA
　　导通电阻（Rds(on)）：最大6.0Ω @ Vgs=4.5V, Id=100mA
　　阈值电压（Vgs(th)）：典型值2.0V，范围1.0V~2.5V
　　输入电容（Ciss）：约22pF @ Vds=10V, f=1MHz
　　输出电容（Coss）：约8pF
　　反向传输电容（Crss）：约1.5pF
　　开启延迟时间（td(on)）：约5ns
　　关断延迟时间（td(off)）：约15ns
　　工作结温范围：-55°C ~ +150°C
　　存储温度范围：-55°C ~ +150°C
　　封装形式：SOT-23 (TO-236)
　　安装类型：表面贴装
　　峰值回流温度：260°C（根据JEDEC J-STD-020）
　　湿气敏感度等级（MSL）：1级（<=30°C/85%RH，无限时间）

2N7002KG-AE2-R具备优异的电气性能和热稳定性，其核心优势在于低导通电阻与高开关效率的结合。该器件在Vgs=10V条件下Rds(on)典型值仅为4.5Ω，这使得它在低电压、低电流应用中能够显著降低导通损耗，提高整体能效。即使在Vgs=4.5V的较低驱动电压下，其Rds(on)仍保持在6.0Ω以内，确保了与现代低电压逻辑接口的良好兼容性，如3.3V或5V微处理器GPIO引脚可直接驱动而无需额外电平转换电路。器件的阈值电压范围为1.0V至2.5V，在保证可靠开启的同时避免因噪声误触发导致的意外导通，提升了系统的抗干扰能力。
　　该MOSFET采用东芝成熟的沟槽栅结构设计，优化了载流子迁移路径，从而实现了更高的跨导和更快的开关响应速度。其开启延迟时间约为5ns，关断延迟时间为15ns左右，适合用于高频开关应用，例如DC-DC转换器中的同步整流、LED背光驱动或信号多路复用等场合。输入电容Ciss约为22pF，较低的输入电容减少了驱动电路所需的充电能量，进一步降低了驱动损耗。
　　热性能方面，SOT-23封装虽然体积小巧，但通过优化芯片布局和内部连接方式，能够在有限的空间内有效传导热量。在自由空气环境中，其热阻RθJA约为400°C/W，若PCB布局合理并配有适当铜箔散热区域，可显著改善散热效果，延长器件寿命。此外，该器件具有较强的ESD防护能力，人体模型（HBM）测试可达±2000V以上，提高了生产装配过程中的可靠性。
　　2N7002KG-AE2-R还具备一定的雪崩能量承受能力，能在突发过压或感性负载切断时提供一定程度的自我保护，减少外部保护元件的需求，简化电路设计。整体而言，这款MOSFET以其小型化、高性能和高可靠性，成为众多消费类电子、通信设备和工业控制系统中理想的开关元件。

2N7002KG-AE2-R广泛应用于各类需要小型化、低功耗开关功能的电子系统中。常见用途包括便携式电子产品中的电源管理模块，例如智能手机、平板电脑和可穿戴设备中的负载开关或电池供电路径控制。由于其支持逻辑电平驱动，常被用于实现微控制器与较高电压外设之间的电平转换，如将3.3V GPIO信号转换为5V输出以驱动传统TTL输入设备。
　　在LED照明应用中，该器件可用于小型指示灯或背光单元的开关控制，凭借其快速响应时间和低导通电阻，能够实现精确的亮度调节和高效的能量利用。此外，它也适用于传感器模块的电源使能控制，通过软件动态开启或关闭传感器供电，达到节能目的，特别适合物联网终端节点或无线传感网络设备。
　　在通信接口电路中，2N7002KG-AE2-R可用于I2C总线缓冲、SD卡电平匹配或多路模拟开关的控制开关，帮助解决不同电压域间的信号互通问题。其高输入阻抗和低漏电流特性使其对原始信号影响极小，不会显著增加总线负载。
　　工业控制领域中，该器件可用于继电器驱动、电磁阀控制或小功率电机的启停开关，配合限流电阻和续流二极管即可构建简单可靠的驱动电路。此外，在电源适配器、充电器和DC-DC转换器中，它可作为同步整流管或高端/低端开关使用，提升转换效率。总之，该器件因其高集成度、稳定性和成本效益，已成为现代电子设计中不可或缺的基础元器件之一。

BSS138LT1G, FDN302P, ZXMN2F10FTA, SI2302DS, DMG2302UK, 2N7002K, MMDF6202U