时间：2025/8/14 16:41:51
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2N7002KDW-AU_R1_000A1 是一款由安森美半导体（onsemi）生产的N沟道增强型MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）。该器件广泛应用于开关电路、负载开关、电源管理以及数字逻辑电路中。由于其低导通电阻、快速开关速度和良好的热稳定性，2N7002KDW-AU_R1_000A1 在工业控制、通信设备、消费类电子产品中均有广泛应用。该型号采用SOT-363（SC-82）封装，属于双MOSFET封装形式，适用于空间受限的高密度PCB设计。
类型：N沟道增强型MOSFET
漏源电压（VDS）：60V
栅源电压（VGS）：±20V
连续漏极电流（ID）：100mA
功耗（PD）：300mW
工作温度范围：-55°C ~ +150°C
存储温度范围：-55°C ~ +150°C
封装形式：SOT-363（SC-82）
2N7002KDW-AU_R1_000A1 具有多个显著的电气和热性能优势。其60V的漏源电压能力使其适用于多种中低压开关应用，同时±20V的栅源电压提供了良好的栅极控制稳定性，避免了栅极击穿的风险。该器件的连续漏极电流为100mA，在小型封装中实现了较高的电流承载能力，适合用于信号切换或小型负载控制。
此外，该MOSFET具有低导通电阻（RDS(on)），通常在4.5V栅极驱动下低于5Ω，确保在导通状态下功耗较低，提高系统效率。其快速开关特性也使其适用于高频开关电路，例如DC-DC转换器或PWM控制应用。
2N7002KDW-AU_R1_000A1 的SOT-363封装为双MOSFET配置，两个独立的N沟道MOSFET集成在一个封装中，极大地节省了PCB空间，提高了电路设计的灵活性。这种封装也具有良好的热性能，确保在高负载条件下仍能稳定工作。该器件符合RoHS环保标准，适用于无铅焊接工艺。
2N7002KDW-AU_R1_000A1 主要应用于各种电子设备中的信号开关、电源管理及逻辑控制电路。常见应用场景包括：微控制器I/O扩展的负载开关、LED驱动控制、继电器替代电路、低功率DC-DC转换器、电池管理系统、工业自动化控制、通信设备接口保护等。
由于其双MOSFET封装结构，该器件也常用于H桥驱动电路、电机控制或双向开关应用中。此外，该器件适用于便携式电子设备，如智能手机、平板电脑、穿戴设备等，用于实现电源管理功能或信号路径切换。
在汽车电子领域，该MOSFET可用于车身控制模块（BCM）、车载娱乐系统、车灯控制单元等应用，其高可靠性和宽工作温度范围确保在恶劣环境下仍能稳定运行。
2N7002KW, BSS138, 2N7000, FDV301N, Si2302DS
