时间：2025/8/15 3:07:27
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2N7002KDW T/R 是一款由STMicroelectronics生产的N沟道增强型MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）。该器件采用小型表面贴装封装（SOT-323），适用于低功率应用。该MOSFET具有低导通电阻、高速开关特性以及良好的热稳定性，广泛用于开关电源、逻辑电平转换和负载控制等场景。
类型：N沟道增强型MOSFET
漏源电压（VDS）：60V
栅源电压（VGS）：±20V
漏极电流（ID）：300mA
导通电阻（RDS(on)）：最大5Ω（在VGS=10V时）
功率耗散：300mW
工作温度范围：-55°C至+150°C
封装形式：SOT-323
2N7002KDW T/R 具有多个显著的技术特性，使其在低功率电子系统中表现出色。首先，其60V的漏源电压能力使其适用于中等电压的开关应用，同时在逻辑电平控制中表现良好。该MOSFET的栅源电压为±20V，提供较高的栅极驱动灵活性，并具备良好的抗过压能力。
该器件的导通电阻较低，在VGS=10V时最大为5Ω，有助于降低导通状态下的功率损耗，提高能效。此外，其漏极电流额定值为300mA，适用于小型电子设备中的负载控制。
封装方面，采用SOT-323的小型封装形式，节省PCB空间，适合高密度布局。其300mW的功耗设计允许在有限的散热条件下工作，同时保持良好的热稳定性。由于其高速开关特性，该器件非常适合用于数字控制电路和脉宽调制（PWM）系统。
2N7002KDW T/R 适用于多种低功率电子电路应用。在电源管理方面，它常用于DC-DC转换器、电池充电电路以及负载开关控制。此外，该MOSFET也可用于逻辑电平转换，例如将3.3V或5V的微控制器信号转换为更高电压的控制信号以驱动外围设备。
在工业控制领域，该器件可用于小型继电器驱动、LED控制以及小型电机驱动电路。由于其高速开关能力，它也适合用于脉宽调制（PWM）控制应用，如调光系统和电机速度调节。
另外，该MOSFET还广泛应用于消费电子产品，如智能手机、平板电脑、智能手表和无线传感器网络中的电源控制模块。
2N7002E, 2N7002LT1G, 2N7002DW, BSS138
