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2N7002KA-RTK/HS 发布时间 时间:2025/9/11 15:29:53 查看 阅读:5

2N7002KA-RTK/HS 是一款由Nexperia生产的高性能N沟道MOSFET,广泛应用于低电压和中等功率开关场合。该器件采用小型SOT23(SOT-23)封装,具有低导通电阻、高开关速度和良好的热稳定性,适用于便携式电子设备、电源管理和信号切换等场景。

参数

类型:N沟道MOSFET
  最大漏极电流:115mA
  最大漏源电压:60V
  最大栅源电压:±20V
  导通电阻(Rds(on)):10Ω(最大)
  栅极电荷:3.5nC
  工作温度范围:-55°C 至 +150°C
  封装形式:SOT23

特性

2N7002KA-RTK/HS 是一款性能优异的N沟道MOSFET,具有出色的开关特性和稳定的电气性能。其导通电阻较低,可确保在高电流条件下仍能保持较低的功率损耗。此外,该器件的栅极电荷较小,使其具备更快的开关速度,从而提高了整体系统的能效。
  该MOSFET的SOT23封装形式使其适用于空间受限的电路设计,同时具备良好的散热能力。其宽泛的工作温度范围允许其在恶劣环境中稳定运行,适用于工业级和汽车电子应用。
  在制造工艺上,该器件采用了先进的沟槽技术,优化了导通电阻与开关损耗之间的平衡。此外,2N7002KA-RTK/HS 具有良好的抗静电能力,增强了其在实际应用中的可靠性。

应用

2N7002KA-RTK/HS 常用于便携式设备的电源管理电路,如智能手机、平板电脑和可穿戴设备中的负载开关。它也适用于LED驱动电路、逻辑电平转换器、继电器驱动器以及各类低功率DC-DC转换器。
  此外,该MOSFET也广泛用于工业控制系统中的信号切换和小型电机控制电路。在汽车电子系统中,它可以作为各种传感器和执行器的驱动开关元件,满足车载环境对可靠性和稳定性的高要求。

替代型号

2N7002, 2N7002K, 2N7002LT, BSS138

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