类型：N沟道MOSFET
　　最大漏极电流（ID）：115mA（@ VGS=10V）
　　最大漏源电压（VDS）：60V
　　最大栅源电压（VGS）：±20V
　　导通电阻（RDS(on)）：5Ω（@ VGS=10V）
　　阈值电压（VGS(th)）：1V至3V
　　工作温度范围：-55°C至+150°C
　　封装形式：SOT-23

2N7002K1 MOSFET具有多个关键特性，使其在多种电路设计中表现优异。首先，它具备低导通电阻，这有助于减少导通状态下的功率损耗，提高整体效率。其次，该器件的栅极驱动电压范围较宽，支持从标准逻辑电平到较高电压的控制信号，适用于多种驱动电路。
　　此外，2N7002K1具备较高的击穿电压和良好的热稳定性，能够在较高温度环境下稳定工作，增强了其在工业和汽车应用中的可靠性。其SOT-23封装形式小巧，便于在空间受限的PCB布局中使用，同时具备良好的散热性能。
　　该MOSFET的开关速度快，适合用于高频开关应用，如DC-DC转换器、LED驱动电路和继电器替代电路。此外，2N7002K1的阈值电压适中，确保在常见的控制电路中能够可靠地导通和关断，避免误触发。

2N7002K1 MOSFET适用于多种电子系统和模块中，包括但不限于以下应用场景：开关电源（SMPS）中的辅助开关元件、负载开关、LED照明控制、电池管理系统、信号切换电路、继电器替代电路以及工业自动化控制系统中的小型执行器驱动。
　　在电源管理领域，2N7002K1可用于构建低功耗的DC-DC升压或降压电路，尤其是在需要小电流开关能力的场合。在电池供电设备中，它可以作为负载开关以延长电池寿命。在自动化控制系统中，该器件常用于控制小型继电器、传感器或执行器的电源供应。
　　此外，2N7002K1也广泛用于嵌入式系统的外围电路控制，例如通过微控制器控制外设电源、电机驱动电路中的低电流负载控制等。其高可靠性和小尺寸封装也使其成为便携式电子设备中的理想选择。

2N7002, 2N7002E, 2N7002LT1G, BSS138