时间：2025/5/9 8:55:20
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2N7002K-T1-GE3 是一款由 General Electric (GE) 制造的 N 沟道增强型金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）。它是一种小型、高效的开关器件，广泛应用于各种电子电路中。该型号属于 2N7002 系列 MOSFET，具有低导通电阻和高开关速度的特点，适用于信号切换和功率管理等场景。
2N7002K-T1-GE3 的封装形式为 TO-236（SOT-23 封装），使其非常适合空间受限的应用场合。
最大漏源电压：60V
最大栅源电压：±20V
最大漏极电流：200mA
导通电阻：1.8Ω
栅极电荷：4nC
工作温度范围：-55℃ 至 +150℃
2N7002K-T1-GE3 的主要特性包括：
1. 高开关速度，适合高频应用。
2. 低导通电阻，能够减少功率损耗。
3. 小型 SOT-23 封装，节省 PCB 空间。
4. 工作温度范围宽广，适应恶劣环境。
5. 具有良好的静电防护能力（ESD）。
这些特性使该器件在便携式设备、消费类电子产品以及工业控制等领域中表现出色。
2N7002K-T1-GE3 广泛应用于以下领域：
1. 开关电源（SMPS）中的同步整流器。
2. 电池保护电路。
3. 电机驱动和负载切换。
4. 数据通信设备中的信号切换。
5. 各种消费类电子产品中的功率管理模块。
其紧凑的封装和高效性能使其成为许多设计工程师的理想选择。
2N7002
BS170
IRLML2402
BSS138
