时间：2025/5/9 9:41:02
阅读：13
2N7002K-R2 是一种 N 沟道增强型 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），广泛应用于低压、低功耗电路中。该器件属于小信号功率 MOSFET，具有极低的导通电阻和快速开关特性，适用于多种开关和放大应用。2N7002K-R2 是 2N7002 的改进版本，主要提升了可靠性和一致性，常用于消费电子、通信设备及工业控制等领域。
这种 MOSFET 在设计时注重降低开关损耗和提高效率，适合驱动负载电流较小的电路，例如信号切换、电源管理以及音频放大器中的保护电路等。
最大漏源电压：60V
最大栅源电压：±20V
最大漏极电流：200mA
导通电阻：1.8Ω（典型值，Vgs=10V）
总功耗：400mW
工作温度范围：-55°C 至 +150°C
封装形式：TO-92
2N7002K-R2 的主要特性包括：
1. 高输入阻抗，便于与数字逻辑电路接口兼容。
2. 极低的导通电阻，减少了传导损耗，提高了效率。
3. 快速开关能力，支持高频操作，适合脉宽调制 (PWM) 和开关模式电源 (SMPS) 应用。
4. 热稳定性强，在高温环境下也能保持可靠的性能。
5. 小尺寸 TO-92 封装，便于安装在空间受限的电路板上。
6. 符合 RoHS 标准，环保且满足现代电子产品对无铅焊接的要求。
7. 改进后的版本增强了长期使用的可靠性。
2N7002K-R2 主要应用于以下领域：
1. 开关电源 (SMPS) 中的初级或次级侧开关。
2. 电池管理系统的负载开关。
3. 数字电路中的电平转换。
4. 音频设备中的保护电路。
5. 工业控制中的信号隔离和驱动。
6. 便携式电子设备中的电源管理。
7. LED 驱动器中的开关元件。
由于其低功耗和高效率，特别适合对能耗敏感的应用场景。
2N7002KM, BSS138, PMV40UN
