类型：N沟道增强型MOSFET
　　漏源电压(Vds)：60V
　　栅源电压(Vgs)：±20V
　　连续漏极电流(Id)：110mA（在25°C）
　　功耗(Pd)：300mW
　　工作温度范围：-55°C ~ 150°C
　　封装类型：SOT-23
　　导通电阻(Rds(on))：约5Ω（在Vgs=10V时）
　　阈值电压(Vgs(th))：1V ~ 3V
　　输入电容(Ciss)：约45pF

2N7002K-NL 具备多项优异的电气和物理特性，使其在各种电子设计中表现出色。首先，其漏源电压 (Vds) 为 60V，能够承受较高的电压应力，适用于多种低压到中压的开关应用。栅源电压最大为 ±20V，具有较强的抗过压能力，防止栅极损坏。
　　其次，该 MOSFET 在 25°C 下的连续漏极电流为 110mA，适用于低至中等功率的负载控制。其最大功耗为 300mW，适合表面贴装应用，具有良好的热管理能力。
　　该器件的工作温度范围为 -55°C 至 150°C，表现出色的温度适应性，适用于工业和汽车电子等对环境温度要求较高的应用场景。
　　2N7002K-NL 采用 SOT-23 封装，体积小巧，便于 PCB 布局和自动化生产，同时具备良好的散热性能。其导通电阻 Rds(on) 约为 5Ω，在 Vgs=10V 时，能够有效降低导通损耗，提高系统效率。
　　此外，该 MOSFET 的阈值电压范围为 1V ~ 3V，适合多种逻辑电平控制，例如由微控制器直接驱动。输入电容 Ciss 约为 45pF，响应速度快，适用于高频开关应用。

2N7002K-NL 主要用于需要低电压控制和中等功率切换的电路中。例如，在电源管理系统中，它可作为负载开关，控制不同子系统的供电，实现节能和高效管理。在 LED 驱动电路中，可用于 PWM 调光控制，提供精确的亮度调节。
　　该器件也常用于继电器驱动电路，作为固态开关替代传统机械继电器，提升系统可靠性和寿命。在逻辑电平转换电路中，2N7002K-NL 可以连接不同电压等级的数字电路，实现信号隔离和转换功能。
　　此外，它在电机控制、传感器接口、电池充电管理、DC-DC 转换器以及各种便携式电子设备中也有广泛应用。由于其 SOT-23 小封装形式，适合空间受限的设计，如智能手机、平板电脑和可穿戴设备等消费类电子产品。

2N7002LT1G, 2N7002DW, BSS138, 2N7000