类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压(Vds)：60V
　　栅源电压(Vgs)：±20V
　　连续漏极电流(Id)：300mA
　　功耗(Pd)：300mW
　　工作温度范围：-55°C 至 150°C
　　封装类型：SOT-23

2N7002K-AU-R1 具有多个显著的电气和物理特性，使其在众多MOSFET中脱颖而出。
　　首先，它的漏源电压（Vds）为60V，允许在较高电压下工作，同时具备±20V的栅源电压（Vgs），提供良好的栅极控制能力。该器件的连续漏极电流（Id）为300mA，足以支持中等功率的开关应用。
　　其次，2N7002K-AU-R1 采用SOT-23封装，体积小巧，便于在紧凑的PCB布局中使用，同时具有良好的热性能，有助于提高器件的稳定性和可靠性。
　　此外，该MOSFET具有较低的导通电阻（Rds(on)），能够在导通状态下减少功率损耗，提高系统效率。其高开关速度也使其适用于高频开关应用，如DC-DC转换器和负载开关电路。
　　最后，该器件的工作温度范围为-55°C至150°C，适应广泛的环境条件，确保在恶劣工业环境中仍能稳定运行。

2N7002K-AU-R1 主要应用于以下几个方面：
　　1. **电源管理**：用于DC-DC转换器、电池充电电路和负载开关，提供高效的功率控制。
　　2. **逻辑电平转换**：在数字电路中作为电平转换器，连接不同电压电平的IC。
　　3. **电机控制**：用于小型电机或继电器的开关控制。
　　4. **LED驱动**：在LED照明系统中作为开关元件，实现调光或调色功能。
　　5. **工业自动化**：在PLC（可编程逻辑控制器）和传感器接口中作为开关元件。
　　6. **消费类电子产品**：如智能手机、平板电脑、智能手表等设备中的电源管理电路。

2N7002E, 2N7002LT, BSS138