时间：2025/6/13 19:19:51
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2N7002K/K72 是一种高性能的 N 沟道增强型 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）。该器件广泛应用于模拟和数字电路中，具有低导通电阻、高开关速度以及出色的温度稳定性等特点。
该型号是 2N7002 的改进版本，通常被用于驱动负载或作为开关元件。其封装形式主要为 TO-92 和 SOT-23，适用于多种便携式设备及功率控制场景。
最大漏源电压：60V
最大栅源电压：±20V
最大漏极电流：200mA
最大功耗：350mW
导通电阻（Rds(on)）：2.1Ω
栅极电荷：1.4nC
开关时间（典型值）：25ns
工作温度范围：-55℃ 至 +150℃
2N7002K/K72 的主要特性包括：
1. 极低的导通电阻（Rds(on)），确保在高频和大电流应用中的效率更高。
2. 高速开关能力，使其非常适合脉宽调制 (PWM) 和其他高速切换场景。
3. 小尺寸封装（如 SOT-23），适合紧凑型设计需求。
4. 良好的热稳定性和可靠性，能够在较宽的工作温度范围内保持性能。
5. 支持表面贴装技术 (SMT)，便于自动化生产和大规模制造。
6. 符合 RoHS 标准，环保且易于集成到现代电子产品中。
2N7002K/K72 广泛应用于以下领域：
1. 开关电源和 DC-DC 转换器中的初级或次级侧开关。
2. 负载开关和电池保护电路。
3. 信号切换和缓冲放大器。
4. 音频设备中的静音开关。
5. 工业控制系统的逻辑电平驱动器。
6. 便携式电子设备中的小型化功率管理方案。
7. 电机驱动和继电器驱动电路。
8. 数据通信接口中的线路保护和隔离。
2N7002
BSS138
AO3400
FDD8876
