时间：2025/9/14 2:58:07
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2N7002HR 是一款由ON Semiconductor生产的N沟道增强型MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）。该器件广泛应用于低电压和中等功率开关电路中，具有良好的热稳定性和快速开关特性。该MOSFET采用SOT-23封装，适用于表面贴装技术，适合用于电源管理、负载开关、DC-DC转换器以及逻辑驱动电路等应用。2N7002HR是汽车级器件，符合AEC-Q101标准，适用于汽车电子系统中的高可靠性需求。
类型：N沟道增强型MOSFET
最大漏极电流（ID）：115mA
最大漏源电压（VDS）：60V
最大栅源电压（VGS）：±20V
导通电阻（RDS(on)）：5Ω @ VGS=10V
阈值电压（VGS(th)）：1V ~ 2.5V
功耗（PD）：300mW
工作温度范围：-55°C ~ +150°C
封装形式：SOT-23
2N7002HR 是一款高性能的N沟道MOSFET，具有多种优良特性。首先，其低导通电阻（RDS(on)）在10V栅极电压下仅为5Ω，使其在低电压应用中能够实现较低的功率损耗，提高效率。其次，该器件的栅极电荷（Qg）较低，有助于实现快速开关操作，从而减少开关损耗，适用于高频开关应用。
此外，2N7002HR具备良好的热稳定性，能够在-55°C至+150°C的宽温度范围内稳定工作，适合在严苛的工业和汽车环境中使用。其SOT-23封装形式不仅体积小巧，便于PCB布局，而且支持表面贴装工艺，有利于提高生产效率和可靠性。
该MOSFET的栅极耐压为±20V，提供了较大的驱动灵活性，同时也具备一定的过压保护能力。阈值电压范围为1V至2.5V，使其能够与多种逻辑电平兼容，适用于数字控制电路中的开关应用。
作为一款符合AEC-Q101标准的汽车级元件，2N7002HR在汽车电子系统中表现出色，如车载电源管理、LED驱动、继电器替代等应用场景中具有优异的稳定性和耐用性。
2N7002HR 主要应用于低电压和中等功率的开关控制电路中。由于其具备低导通电阻、快速开关特性以及宽工作温度范围，广泛用于电源管理系统、DC-DC转换器、负载开关、电机驱动、LED照明控制以及逻辑电平转换电路中。
在汽车电子领域，2N7002HR常用于车载电源管理模块、车载信息娱乐系统、车身控制模块（BCM）以及LED车灯驱动电路。其AEC-Q101认证确保了其在高振动、高温和电磁干扰等恶劣汽车环境下的可靠性。
此外，该器件也适用于工业自动化控制系统、智能家电、消费类电子产品中的功率开关和信号控制电路。例如，在电池供电设备中，它可以作为高效的负载开关来延长电池寿命；在嵌入式系统中，可用于驱动小型继电器或LED指示灯。
2N7002K, 2N7002E, BS170, 2N7000, FDV301N
