类型：N沟道增强型MOSFET
　　最大漏极电流（ID）：115mA
　　最大漏源电压（VDS）：60V
　　最大栅源电压（VGS）：±20V
　　导通电阻（RDS(on)）：最大5Ω（在VGS=10V时）
　　栅极电荷（Qg）：典型值为2.3nC
　　工作温度范围：-55°C至+150°C
　　封装形式：SOT-23

2N7002ET/R MOSFET具有多个显著的技术特性，使其在各种应用中表现出色。首先，其N沟道增强型结构使其在正栅极电压下导通，提供了高效的开关性能。其次，低导通电阻（RDS(on)）确保了在导通状态下具有较低的功率损耗，从而提高了系统的整体效率。
　　此外，该器件具有较高的输入阻抗，使得栅极驱动功率需求较低，适用于低功耗控制系统。同时，其快速开关特性减少了开关损耗，适用于高频开关应用，如DC-DC转换器和脉宽调制（PWM）控制器。
　　该MOSFET的SOT-23封装体积小巧，便于在紧凑的PCB布局中使用，同时具备良好的散热性能。其宽泛的栅极电压范围（最高可达20V）使其兼容多种驱动电路，包括标准的5V和12V逻辑系统。
　　另外，2N7002ET/R具备良好的热稳定性和可靠性，在-55°C至+150°C的温度范围内可稳定工作，适用于工业级和汽车电子应用。

2N7002ET/R MOSFET广泛应用于多种电子系统中，尤其适用于低功率开关控制和信号管理。在电源管理领域，该器件可用于DC-DC转换器、负载开关和电池管理系统中，实现高效的能量传输与控制。
　　在电机控制应用中，它可用于H桥驱动电路中的低端开关，控制小型直流电机或步进电机的运行。由于其快速的开关响应时间，非常适合用于脉宽调制（PWM）控制，实现电机速度调节或LED亮度控制。
　　在数字电路中，2N7002ET/R可用于逻辑电平转换，将微控制器或其他低电压逻辑信号转换为较高电压信号以驱动继电器、LED或小型执行器。此外，它还可用于保护电路，如反向电流阻断、过流保护和负载切换等场景。
　　由于其封装小巧、性能稳定，该器件也常用于消费类电子产品、工业自动化设备、汽车电子模块以及通信设备中。

2N7002E, 2N7002K, BSS138, FDV301N, 2N7000