类型：N沟道
　　漏源电压（VDS）：60V
　　栅源电压（VGS）：±20V
　　连续漏极电流（ID）：300mA
　　脉冲漏极电流（IDM）：1.2A
　　导通电阻（RDS(on)）：最大5.3Ω（在VGS=10V, ID=100mA条件下）
　　阈值电压（VGS(th)）：最小1V，典型2V，最大3V
　　输入电容（Ciss）：约200pF
　　输出电容（Coss）：约100pF
　　反向传输电容（Crss）：约40pF
　　工作温度范围：-55°C 至 +150°C
　　存储温度范围：-55°C 至 +150°C
　　封装形式：SOT-23

2N7002E9的电气和物理特性使其在众多低压开关应用中表现出色。首先，其60V的漏源击穿电压提供了足够的安全裕度，适用于12V或24V以下的电源控制系统，例如在汽车电子、工业控制模块和消费类电子产品中作为负载开关或继电器驱动器。其次，该器件的低阈值电压（通常为2V左右）使其能够兼容3.3V甚至更低的逻辑电平，从而可以直接由微控制器GPIO引脚驱动，无需电平转换或额外的驱动IC，简化了电路设计并降低了成本。此外，2N7002E9具有较低的导通电阻，在小电流负载下功耗极低，特别适合用于电池供电设备以延长续航时间。
　　该器件的快速开关能力得益于其较小的栅极电荷和寄生电容，使得在高频开关应用中（如LED调光、DC-DC转换器中的同步整流辅助开关）响应迅速，减少了开关损耗。同时，SOT-23封装不仅体积小巧，还具备良好的散热性能，能够在有限的空间内实现稳定的热管理。2N7002E9还具备较强的抗静电能力（ESD保护），提高了在实际生产和使用过程中的可靠性。其制造工艺遵循AEC-Q101等车规级可靠性标准的部分版本，因此也可用于对稳定性要求较高的汽车电子环境。
　　另一个关键特性是其良好的热稳定性。由于采用了稳定的二氧化硅栅极绝缘层和优化的芯片结构，2N7002E9在高温环境下仍能保持一致的电气性能，避免因温度变化导致的误动作或性能下降。此外，该MOSFET支持并联使用以提高电流承载能力，适用于需要更高驱动电流但又希望保持简单设计的场合。综合来看，2N7002E9以其高性价比、成熟的技术和广泛的供货渠道，成为中小功率开关应用中的首选器件之一。

2N7002E9广泛应用于各类电子系统中的信号切换和功率控制场景。常见用途包括微控制器I/O扩展驱动，例如用于控制LED指示灯、蜂鸣器、小型继电器或电磁阀等负载。由于其高输入阻抗和低驱动电流需求，非常适合与数字逻辑电路配合使用，实现电平转换功能，尤其是在3.3V与5V系统之间的双向电平移位电路中发挥重要作用。此外，该器件常用于电源管理模块中作为高端或低端开关，用于控制子系统的上电时序或实现节能待机模式。在便携式设备如智能手机、平板电脑和可穿戴设备中，2N7002E9被用于背光控制、传感器使能信号切换以及电池保护电路中的开关元件。
　　在通信接口电路中，2N7002E9可用于I2C总线缓冲或隔离，防止总线冲突并提高驱动能力。它也常出现在DC-DC转换器和LDO稳压器的外围电路中，作为启停控制开关或反馈路径中的通断元件。在汽车电子领域，该器件可用于车身控制模块（BCM）、车内照明控制、电动门窗驱动信号调理等非大电流应用场合。此外，由于其具备一定的耐压能力和稳定性，2N7002E9也被用于工业PLC模块、传感器信号调理板和智能仪表中，执行数字信号的隔离与放大功能。总之，凡是需要小型化、低功耗、高可靠性的开关控制场景，2N7002E9都是一个成熟且值得信赖的选择。

MMBF2N7002, BSS138, FDN301N, 2N7002, DMG2302U